國產濺射臺共享
儀器名稱：國產濺射臺儀器編號：02011815產地：中國生產廠家：中科院微電子中心自制型號：JS-3出廠日期：200107購置日期：200210所屬單位：集成電路學院>微納加工平臺>薄膜工藝放置地點：微電子所新所一層微納平臺固定電話：固定手機：固定email：聯系人：魏治乾（010-62781090,19801221361,zhiqianwei@tsinghua.edu.cn）分類標簽：集成電路 半導體工藝 微納加工 磁控濺射技術指標：金屬材料磁控濺射：Al、Cr、Ag、Au、Pt、Cu、Ti、TiW。均勻性在5%~10%之間知名用戶：王喆垚(微電子所)、陳兢(北京大學)、何立平(中科院物理所)、嚴清峰(化學系)、許軍(微電子所)、尤政(精儀系) 朱榮(精儀系)、張志勇(北京大學)、金傳洪(浙江大學)技術團隊：工藝工程師：魏治乾 設備工程師：韓冰 工藝主管：竇維治功能特色：本設備為半導體器件......閱讀全文
國產濺射臺共享
儀器名稱：國產濺射臺儀器編號：02011815產地：中國生產廠家：中科院微電子中心自制型號：JS-3出廠日期：200107購置日期：200210所屬單位：集成電路學院>微納加工平臺>薄膜工藝放置地點：微電子所新所一層微納平臺固定電話：固定手機：固定email：聯系人：魏治乾（010-62781090
中科院自產濺射臺共享
儀器名稱：國產濺射臺儀器編號：02011815產地：中國生產廠家：中科院微電子中心自制型號：JS-3出廠日期：200107購置日期：200210所屬單位：集成電路學院>微納加工平臺>薄膜工藝放置地點：微電子所新所一層微納平臺固定電話：固定手機：固定email：聯系人：魏治乾（010-62781090
離子濺射儀濺射工作原理簡介
直流冷陰極二極管式，靶材處于常溫，加負高壓1-3kv，陽極接地。當接通高壓，陰極發射電子，電子能量增加到1-3kev，轟擊低真空中（3-10pA)的氣體，使其電離，激發出的電子在電場中被加速，繼續轟擊氣體，產生聯級電離，形成等離子體。離子以1-3kev的能量轟擊陰極靶，當其能量高于靶材原子的結合
清華大學儀器共享平臺中科院－國產濺射臺
儀器名稱：國產濺射臺儀器編號：02011815產地：中國生產廠家：中科院微電子中心自制型號：JS-3出廠日期：200107購置日期：200210所屬單位：集成電路學院>微納加工平臺>薄膜工藝放置地點：微電子所新所一層微納平臺固定電話：固定手機：固定email：聯系人：魏治乾（010-62781090
小型離子濺射儀可以用來濺射銅嗎
小型的離子濺射儀分為低真空離子濺射和高真空離子濺射，根據原理又分為高電壓直流、低電壓磁控和離子束三種原理，目前市面上的離子濺射大部分是可以滿足您的需求，你可以查看上海禾早生產的離子濺射儀。
磁致濺射儀簡介
磁致濺射儀是應用于各種金屬薄膜的濺射蒸鍍儀器，在惰性氣體或者活性氣體中在陽極和陰極蒸發材料間加上幾百伏的直流電壓，使之產生輝光放電，放電中的離子碰撞到陰極的蒸發材料靶上，靶材的原子就會由其表面蒸發出來，蒸發原子被惰性氣體冷卻而凝結或與活性氣體反應而形成納米顆粒。
磁控濺射的相關介紹
磁控濺射是物理氣相沉積（Physical Vapor Deposition，PVD）的一種。一般的濺射法可被用于制備金屬、半導體、絕緣體等多材料，且具有設備簡單、易于控制、鍍膜面積大和附著力強等優點，而上世紀 70 年代發展起來的磁控濺射法更是實現了高速、低溫、低損傷。因為是在低氣壓下進行高速濺
磁控濺射種類的介紹
磁控濺射包括很多種類。各有不同工作原理和應用對象。但有一共同點：利用磁場與電場交互作用，使電子在靶表面附近成螺旋狀運行，從而增大電子撞擊氬氣產生離子的概率。所產生的離子在電場作用下撞向靶面從而濺射出靶材。 靶源分平衡和非平衡式，平衡式靶源鍍膜均勻，非平衡式靶源鍍膜膜層和基體結合力強。平衡靶源多
金屬多靶磁控濺射機
金屬多靶磁控濺射機是一種用于電子與通信技術領域的工藝試驗儀器，于2014年1月1日啟用。 1）真空系統：復合分子泵+直聯旋片無油機械泵抽真空系統；真空極限：優于5.0×10E-5Pa ；抽速：從大氣開始抽氣，濺射室25分鐘可達到10E-4Pa；系統漏率≤ 5×10-7PaL/s，系統停泵關機1
磁控濺射技術應用的現狀
磁控濺射技術不僅是科學研究和精密電子制造中常用的薄膜制備工藝技術，經過多年的不斷完善和發展，該技術也已經成為重要的工業化大面積真空鍍膜技術之一，廣泛應用于玻璃、汽車、醫療衛生、電子工業等工業和民生領域。例如，采用磁控濺射工藝生產鍍膜玻璃，其膜層可以由多層金屬或金屬氧化物祖成，允許任意調節能量通過
磁控濺射鍍膜機共享
儀器名稱：磁控濺射鍍膜機儀器編號：13001328產地：中國生產廠家：創世威納科技公司型號：MSP-3200T出廠日期：201301購置日期：201301所屬單位：集成電路學院>微納加工平臺>薄膜工藝放置地點：一樓平臺固定電話：固定手機：固定email：聯系人：魏治乾（010-62781090,19
磁控濺射原理的相關介紹
磁控濺射的工作原理是指電子在電場E的作用下，在飛向基片過程中與氬原子發生碰撞，使其電離產生出Ar正離子和新的電子；新電子飛向基片，Ar離子在電場作用下加速飛向陰極靶，并以高能量轟擊靶表面，使靶材發生濺射。在濺射粒子中，中性的靶原子或分子沉積在基片上形成薄膜，而產生的二次電子會受到電場和磁場作用，
磁致濺射儀的原理簡介
濺射法的原理是在惰性氣體或者活性氣體中在陽極和陰極蒸發材料間加上幾百伏的直流電壓，使之產生輝光放電，放電中的離子碰撞到陰極的蒸發材料靶上，靶材的原子就會由其表面蒸發出來，蒸發原子被惰性氣體冷卻而凝結或與活性氣體反應而形成納米顆粒。濺射是一個復雜的過程。濺射過程是建立在氣體輝光放電基礎上的。當兩電
離子濺射儀器的技術指標
（1）樣品室大小：直徑120mm×高度120mm； （2）靶材：Au靶、Au/Pd靶、Pt靶、Pt/Pd靶，靶材尺寸：直徑57mm×厚度0.1mm； （3）樣品臺：可以裝載12個SEM樣品座，高度可調范圍為50mm； （4）濺射控制：程序化數字控制，最大電流40mA； （5）濺射頭：低電壓平面磁
薄膜濺射沉積系統共享應用
儀器名稱：薄膜濺射沉積系統儀器編號：16041495產地：中國生產廠家：AJA型號：ATC 2200-V出廠日期：201605購置日期：201612所屬單位：集成電路學院>微納加工平臺>薄膜工藝放置地點：微電子所新所一樓108固定電話：固定手機：固定email：聯系人：竇維治（010-6278109
磁控濺射鍍膜機共享應用
儀器名稱：磁控濺射鍍膜機儀器編號：13001328產地：中國生產廠家：創世威納科技公司型號：MSP-3200T出廠日期：201301購置日期：201301所屬單位：集成電路學院>微納加工平臺>薄膜工藝放置地點：一樓平臺固定電話：固定手機：固定email：聯系人：魏治乾（010-62781090,19
離子濺射儀器的技術指標
離子濺射儀器是一種用于交通運輸工程領域的分析儀器，于2016年06月28日啟用。 技術指標 （1）樣品室大小：直徑120mm×高度120mm； （2）靶材：Au靶、Au/Pd靶、Pt靶、Pt/Pd靶，靶材尺寸：直徑57mm×厚度0.1mm； （3）樣品臺：可以裝載12個SEM樣品座，高度
解析離子濺射儀常見故障
故障現象：使用一段時間后，濺射電流變小 解決方法：對靶材有無變色、破裂和油污等現進行檢查。前兩者對靶材進行更換，后者被油蒸汽污染，通過無水乙醇進行清潔，等到干了以后才能夠抽真空。 故障現象：在使用一段時間以后，有著過低的真空。 解決方法：對濺射室中或管道內是否有油進行檢查，能夠使用汽油進行
離子濺射儀操作流程相關介紹
1、一般工作距離可調，距離越近，濺射速度越快，但熱損傷會增加。 2、離子流的大小通過控制真空壓力實現，真空度越低，I越大，濺射速度越快，原子結晶晶粒越粗，電子轟擊樣品（陽極）產生的熱量越高；真空度越高,I 越小，濺射速度越慢，原子結晶晶粒越細小，電子轟擊樣品產生的熱量小。 3、加速電壓為固定
磁控濺射技術的工藝歷史發展
1852年，格洛夫發現了陰極濺射，由于該方法要求工作氣壓高、基體溫升高和沉積速率低等，陰極濺射在生產中并沒有得到廣泛的應用。20世紀三十年代，J.Chapin發明了平衡磁控濺射，使高速、低溫濺射成為現實，磁控濺射真正意義上發展起來。 上世紀五十年代Schneider等采用離化濺射和平衡磁控濺射
銅上濺射沉積鈾薄膜AES研究
在俄歇電子能譜儀超高真空室內,采用離子束濺射沉積方法在多晶Cu上沉積了鈾薄膜,采用俄歇電子能譜技術(AES)研究鈾薄膜的生長方式,鈾、銅的相互作用及退火引起U膜成分結構變化。沉積初期觀察到鈾與銅發生相互作用,隨著鈾薄膜厚度的增加,UOPV/CuLMM俄歇躍遷峰強度值變化說明鈾薄膜為層狀+島狀生長。退
磁致濺射儀的結構系統簡介
真空系統：真空系統由機械泵、分子泵和各種閥門組成。低真空下，由熱偶型規管來測定真空度高真空下由電離型規管來測量。系統的最高真空度可以達到數量級。 輸氣系統：濺射中需要通入高純氫氣作為濺射氣體。有時需要通入、等進行反應濺射。系統現有兩路質量流量計，所用的氣體可以選擇合適的流量進入真空室。 加熱
簡介磁致濺射儀的制備優點
不僅可以得到很高的濺射速率，而且在濺射金屬時還可以避免二次電子轟擊而使基板保持接近冷態，這對單晶和塑料基板具有重要的意義。磁控濺射可以用DC和RF放電工作，故能制備金屬膜和介質膜。但是它的缺點是：不能實現強磁性材料的低溫高速濺射，因為幾乎所有的磁通都通過磁性靶子，所以在靶面附近不能外加強磁場；絕
全自動磁控濺射系統共享應用
儀器名稱：全自動磁控濺射系統儀器編號：12024341產地：中國生產廠家：金盛微納科技有限公司型號：MSP-150B出廠日期：201112購置日期：201211所屬單位：集成電路學院>微納加工平臺>薄膜工藝放置地點：微電子所新所一層微納平臺固定電話：固定手機：固定email：聯系人：劉建設（,,zh
姚力軍：讓新材料濺射全球
6個合伙人，40個集裝箱。這是2005年來寧波時，曾經的跨國公司總經理姚力軍帶來的全部“家當”。 “當時，芯片行業核心技術都掌握在日本人和美國人手上。”姚力軍至今記得自己選擇回國創業時，朋友和同事對他的不解與不舍，可他沒有動搖，“半導體產業有需求有前景，現在是報效祖國的時候，回來就是
超高真空多靶磁控濺射鍍膜儀
超高真空多靶磁控濺射鍍膜儀是一種用于物理學領域的物理性能測試儀器，于2010年2月21日啟用。 技術指標 雙室磁控濺射系統，極限壓力：主濺射室，6.67*10-6Pa，2、永磁靶5套，三個直流電源，兩個射頻電源，靶材直徑60mm；3、6個樣品工位，尺寸直徑30mm，基片加熱最高600度，退火
多靶位磁控濺射系統共享應用
儀器名稱：多靶位磁控濺射系統儀器編號：21012328產地：美國生產廠家：科特·萊斯科公司型號：PVD75出廠日期：購置日期：2021-07-12所屬單位：集成電路學院>微納加工平臺>薄膜工藝放置地點：微電子所新所一層微納平臺固定電話：62781090固定手機：13661079620固定email：
磁致濺射儀層生長型薄膜的形成
這種生長類型的特點是，蒸發原子首先在基片表面以單原子層的形式均勻地翟蓋一層，然后再在三維方向上生長更多的層。這種生長方式多數發生在基片原子與蒸發原子間的結合能接近于蒸發原子間的結合能的情況下。層生長型的過程大致如下:入射到基片表面的原子，經過表面擴散并與其它原子碰撞后形成二維的核，二維核捕捉周圍
金盛微全自動磁控濺射系統共享
儀器名稱：全自動磁控濺射系統儀器編號：12024341產地：中國生產廠家：金盛微納科技有限公司型號：MSP-150B出廠日期：201112購置日期：201211所屬單位：集成電路學院>微納加工平臺>薄膜工藝放置地點：微電子所新所一層微納平臺固定電話：固定手機：固定email：聯系人：劉建設（,,zh
磁致濺射儀核生長型薄膜的形成
這種類型形成過程的特點是，到達基片上的原子首先凝聚成核，后續飛來的原子不斷集聚在核的附近使核在三維方向不斷成長，最終形成薄膜。大部分薄膜的形成過程都屬于這種類型。核生長型的薄膜其生長過程可以分為如下四個階段。 (l)成核階段碰撞到基片上的原子，其中一部分與基片原子交換的能量很少，仍具有相當大的