超高真空多靶磁控濺射鍍膜儀是一種用于物理學領域的物理性能測試儀器，于2010年2月21日啟用。
技術指標
雙室磁控濺射系統，極限壓力：主濺射室，6.67*10-6Pa，2、永磁靶5套，三個直流電源，兩個射頻電源，靶材直徑60mm；3、6個樣品工位，尺寸直徑30mm，基片加熱最高600度，退火爐最高溫度800度。
主要功能
用于納米級單層及多層功能膜、硬質膜、金屬膜、半導體膜、介質膜等新型薄膜材料的制備。可廣泛應用于大專院校、科研院所的薄膜材料的科研與小批量制備。
