光刻機的性能指標
光刻機的主要性能指標有:支持基片的尺寸范圍,分辨率、對準精度、曝光方式、光源波長、光強均勻性、生產效率等。 分辨率是對光刻工藝加工可以達到的最細線條精度的一種描述方式。光刻的分辨率受受光源衍射的限制,所以與光源、光刻系統、光刻膠和工藝等各方面的限制。 對準精度是在多層曝光時層間圖案的定位精度。 曝光方式分為接觸接近式、投影式和直寫式。 曝光光源波長分為紫外、深紫外和極紫外區域,光源有汞燈,準分子激光器等。......閱讀全文
光刻機移動精度怎么控制
光刻機移動精度要在雕刻的過程中,晶圓需要被快速移動,每次移動10厘米來控制。這種誤差級別相當于眨眼之間端著一盤菜從北京天安門沖到上海外灘,恰好踩到預定的腳印上,菜還保持端平不能灑。這種方法也叫視頻圖像處理對準技術,是指在光刻套刻的過程中,掩模圖樣與硅片基板之間基本上只存在相對旋轉和平移,充分利用這一
光刻機投影式曝光分類
掃描投影曝光(Scanning Project Printing)。70年代末~80年代初,〉1μm工藝;掩膜板1:1,全尺寸; 步進重復投影曝光(Stepping-repeating Project Printing或稱作Stepper)。80年代末~90年代,0.35μm(I line)~
光刻機為什么不用x射線
因為x射線具有穿透力,而穿透力產生的折射會浪費大量的能量,致使光刻機效率低下,甚至無法工作,所以不用x射線。
高精度掩膜對準光刻機
高精度掩膜對準光刻機是一種用于農學、生物學、化學、物理學領域的分析儀器,于2017年11月7日啟用。 技術指標 支持4英寸晶圓;曝光波長:350-450nm;曝光燈功率:350W;分辨率:優于0.8mm(光刻膠厚度1微米時);套刻精度:0.5mm;光強均勻度:優于±2%;更換汞燈后及汞燈全壽
質譜儀的性能指標
衡量一臺質譜儀性能好壞的指標很多。這些指標包括分辨率,質量范圍,靈敏度,質量穩定性、質量精度等。質譜儀的種類很多,其性能指標的表示方法也不完全相同,現將主要的指標說明如下。?1.1 分辨率?質譜儀的分辨率表示質譜儀把相鄰兩個質量分開的能力。常用 R?表示。其定義是,如果某質譜儀在質量 M?處剛剛能分
光刻機水冷機組定時保養知識須知
按時進行光刻機水冷機組的維修保養,而對于很多企業而言,如果光刻機水冷機組缺少必要的保養與維護,意味著光刻機水冷機組后期運行故障率非常高。 在實際運行光刻機水冷機組的時候,為保持光刻機水冷機組運行靠譜與穩定,建議在使用半年時間之后,需要針對光刻機水冷機組進行面面的清洗。尤其對于容易產生積塵污垢的位
佳能PLA500光刻機共享應用
儀器名稱:佳能光刻機儀器編號:80424600產地:日本生產廠家:日本型號:PLA-500出廠日期:198004購置日期:198004所屬單位:集成電路學院>微納加工平臺>光刻工藝放置地點:微電子所新所一樓微納平臺光刻間固定電話:固定手機:固定email:聯系人:竇維治(010-62781090,1
單面/雙面掩模對準光刻機的相關知識
單面/雙面掩模對準光刻機支持各種標準光刻工藝,如真空,硬,軟接觸和接近式曝光模式,可選擇背部對準方式。此外,該系統還提供其他功能,包括鍵合對準和納米壓印光刻(NIL)。EVG610提供快速處理和重新加工,以滿足不斷變化的用戶需求,轉換時間不到幾分鐘。其先進的多用戶概念適合初學者到專家級各個階層用戶,
工業CT的性能指標
檢測范圍:主要說明該CT系統的檢測對象。如能透射鋼的最大厚度,檢測工件的最大回轉直徑,檢測工件的最大高度或長度,檢測工件的最大重量等。 使用的射線源:射線能量大小、工作電壓、工作電流及焦點尺寸。射線能量是穿透等效鋼厚度的能力的主要影響因素。 掃描模式:常用的CT掃描模式有II代掃描、
新型光刻機提升微納實用制造水平
中科院光電技術研究所微電子專用設備研發團隊,近日自主研制成功紫外納米壓印光刻機。該機器將新型納米壓印高分辨力光刻技術與紫外光刻技術有機結合,成本僅為國外同類設備的1/3,并在同一加工平臺上實現了微米到納米級的跨尺度圖形加工,使我國微納實用制造水平邁上新的臺階。 光刻機是實現微納圖形加工的專用高
2022年新挑戰——光刻機、網絡安全......
2月15日,中國工程院信息與電子工程學部、中國信息與電子工程科技發展戰略研究中心在京發布“中國電子信息工程科技發展十三大挑戰(2022)”。發布會由中國工程院院士、信息與電子工程學部主任盧錫城主持。 中國工程院黨組成員、副院長陳左寧院士表示,中國工程院作為中國工程科學技術界最高榮譽性、咨詢性學
光刻機冷卻循環裝置常見系統故障
1、回液:對于使用膨脹閥的制冷系統,回液與膨脹閥選型和使用不當密切相關。膨脹閥選型過大、過熱度設定太小、感溫包安裝方法不正確或絕熱包扎破損、膨脹閥失靈都可能造成回液。對于使用毛細管的小制冷系統而言,加液量過大會引起回液。蒸發器結霜嚴重或風扇故障時傳熱變差,未蒸發的液體會引起回液。溫度頻繁波動也會引
MA6雙面光刻機共享
儀器名稱:MA6雙面光刻機儀器編號:00011041產地:德國生產廠家:Karl Suss型號:MA6出廠日期:199907購置日期:200010所屬單位:集成電路學院>微納加工平臺>光刻工藝放置地點:微電子所新所一樓微納平臺光刻間固定電話:固定手機:固定email:聯系人:竇維治(010-6278
清華大學儀器共享平臺SUSS-光刻機
儀器名稱:光刻機儀器編號:20004477產地:中國生產廠家:SUSS Micro Tec Lithography Gmb型號:MJB4出廠日期:購置日期:2020-06-09所屬單位:電子系>納米光電子綜合測試平臺放置地點:羅姆樓B1-304室固定電話:62796594固定手機:固定email:h
28納米光刻機如何生產5納米芯片
28納米光刻機作為先進半導體芯片制造中的重要設備之一,其本身的生產工藝無法支持5納米的芯片生產。但是,通過使用一系列先進的制造技術和調整設備參數等手段,可以將28納米光刻機用于5納米芯片生產。主要方法包括以下幾個方面:1. 使用多重曝光技術:將同一影像進行多次疊加曝光,在不同的位置形成復雜圖形,在提
目前我國光刻機的加工精度是多少?
我們日常使用的手機里面的芯片就是光刻機制造出來的,光刻機是芯片制造過程當中一個重要的環節,光刻機直接決定著芯片的質量。而我國作為全球最大的芯片消費國之一,光每年進口的芯片都高達幾萬億人民幣。??光刻機是芯片制造過程中最重要的一部分,就是我們把想要設計的芯片,用光學技術刻在晶圓上,用光學技術把各種各樣
色譜柱性能指標
色譜柱性能指標包括在一定實驗條件下(樣品、流動相、流速、溫度)下的柱壓、理論塔板高度和塔板數、對稱因子、容量因子和選擇性因子的重復性,或分離度。一般說來容量因子和選擇性因子的重復性在±5%或±10%以內。進行柱效比較時,還要注意柱外效應是否有變化。
數字熒光示波器的性能指標
1.100 MHz 和200 MHz 帶寬型號 2.2 條或4 條模擬通道 3.16 條數字通道 (MSO2000 系列) 4.所有通道上采樣率高達1 GS/s 5.所有通道上1 M 點記錄長度 6. 5,000 wfm/s 最大波形捕獲速率 7.高級觸發套件
電子天平的性能指標
電子天平的四個性能指標生活中大家在使用電子天平的時候,首先考慮的就是天平示值的不變性、天平的正確性、天平的靈敏性、天平的穩定性。所謂的穩定性就是指天平精度的穩定性;而靈敏度就是指天平讀數的反應快慢,在這方面電子天平較機械天平具有更高的靈敏度;正確性就是指其讀數的準確性;而不變性就是指天平讀數的穩定性
射頻導納物位計的性能指標
供 電:18V~30VDC 火花防護(對傳感器):內置火花防護電路] 輸 出:4~20mA(兩線制) 電氣接口:M20×1.5 輸出方式:物位方式或距離方式 電 纜:分體式電子單元與傳感器之 精度:±1% ±0.5% 間的專用連接電纜 標準5m,最長50m 環境溫度:-40℃~70℃
孔板流量的性能指標
▲節流裝置結構易于復制,簡單、牢固,性能穩定可靠,使用期限長,價格低廉。 ▲孔板計算采用國際標準與加工 ▲應用范圍廣,全部單相流皆可測量,部分混相流亦可應用。 ▲標準型節流裝置無須實流校準,即可投用。 ▲一體型孔板安裝更簡單,無須引壓管,可直接接差壓變送器和壓力變送器。智能型特點 ▲采
電子天平的性能指標
電子天平是一臺對環境高度敏感的精密電子測量儀器,使用時應小心操作;電子天平的心臟——重力電磁傳感器簧片細而薄,極易受損。利用電子天平的計件功能可以快速的得出一堆物件里的單體個數。電子天平的四個性能指標:氣場生活中大家在使用電子天平的時候,首先考慮的就是天平的穩定性、天平的靈敏性、天平的正確性和天平示
電子天平的性能指標
電子天平的四個性能指標:氣場生活中大家在使用電子天平的時候,首先考慮的就是天平的穩定性、天平的靈敏性、天平的正確性和天平示值的不變性。所謂的穩定性就是指天平精度的穩定性;而靈敏度就是指天平讀數的反應快慢,在這方面電子天平較機械天平具有更高的靈敏度;正確性就是指其讀數的準確性;而不變性就是指天平讀數的
色差儀的選擇,性能指標
色差儀的選擇,性能指標色彩色差儀是量化色彩現象,建立色彩標準,改善產品外觀,顏色品管控制,進而進行電腦配色的不可缺少的工具,目前色彩色差儀種類,品牌較多,用戶在選擇時可能會碰到無所適從的情況,或者輕易被誤導從而產生選擇的困境。用戶可能發現這樣的情況:同樣都是測色儀,價格差異很大,測出來的結果也有不同
溫度變送器的性能指標介紹
隔離型溫度變送器: * 執行標準:IEC688:1992,QB * 輸入范圍:-60℃~175℃ * 精度等級:≤0.5%.F.S * 整機功耗:≤0.5VA * 絕緣電阻:≥20MΩ(DC500V) * 響應時間:≤350mS * 工作環境:-10℃~50℃,20%~90%無凝露
激光雷達的性能指標
激光雷達的主要性能參數有激光的波長、探測距離、FOV(垂直+水平)、測距精度、角分辨率、出點數、線束、安全等級、輸出參數、IP防護等級、功率、供電電壓、激光發射方式(機械/固態)、使用壽命等。激光雷達的優勢非常明顯,其探測的范圍更廣,且精度更高。但是在極端天氣或者煙霧環境下性能大大降低,而且由于其數
投影儀的性能指標
投影儀的性能指標是區別投影儀檔次高低的標志,主要有以下幾個指標:光輸出光輸出是指投影儀輸出的光能量,單位為“流明”(lm)。根據測試標注的區別市面上常用的衡量投儀光輸出的單位為ANSI流明和ISO流明。 ANSI流明是由美國國家標準協會(ANSI, American National Standar
寬刀雕細活-我國造出新式光刻機
11月29日,中科院光電技術研究所承擔的國家重大科研裝備研制項目“超分辨光刻裝備研制”通過驗收,這是世界上首臺用紫外光源實現了22納米分辨率的光刻機。 光刻機相當于一臺投影儀,將精細的線條圖案投射于感光平板,光就是一把雕刻刀。但線條精細程度有極限——不能低于光波長的一半。“光太胖,門縫太窄,
MA6雙面光刻機共享應用
儀器名稱:MA6雙面光刻機儀器編號:00011041產地:德國生產廠家:Karl Suss型號:MA6出廠日期:199907購置日期:200010所屬單位:集成電路學院>微納加工平臺>光刻工藝放置地點:微電子所新所一樓微納平臺光刻間固定電話:固定手機:固定email:聯系人:竇維治(010-6278
極紫外線光刻機和簡介和功能
極紫外線光刻機是芯片生產工具,是生產大規模集成電路的核心設備,對芯片工藝有著決定性的影響。小于5納米的芯片晶圓,只能用EUV光刻機生產。 2018年4月,中芯國際向阿斯麥下單了一臺EUV(極紫外線)光刻機,預計將于2019年初交貨。 功能 光刻機(又稱曝光機)是生產大規模集成電路的核心設備