光刻機投影式曝光分類
掃描投影曝光（Scanning Project Printing）。70年代末～80年代初，〉1μm工藝；掩膜板1：1，全尺寸； 步進重復投影曝光（Stepping-repeating Project Printing或稱作Stepper）。80年代末～90年代，0.35μm（I line）～0.25μm（DUV）。掩膜板縮小比例（4：1），曝光區域（Exposure Field）22×22mm（一次曝光所能覆蓋的區域）。增加了棱鏡系統的制作難度。 掃描步進投影曝光（Scanning-Stepping Project Printing）。90年代末～至今，用于≤0.18μm工藝。采用6英寸的掩膜板按照4：1的比例曝光，曝光區域（Exposure Field）26×33mm。優點：增大了每次曝光的視場；提供硅片表面不平整的補償；提高整個硅片的尺寸均勻性。但是，同時因為需要反向運動，增加了機械系統的精度要求。......閱讀全文
光刻機投影式曝光分類
掃描投影曝光（Scanning Project Printing）。70年代末～80年代初，〉1μm工藝；掩膜板1：1，全尺寸； 步進重復投影曝光（Stepping-repeating Project Printing或稱作Stepper）。80年代末～90年代，0.35μm（I line）～
投影式光刻機簡介
投影式光刻機一般采用步進-掃描式曝光方法。光源并不是一次把整個掩模上的圖形投影在晶圓上，曝光系統通過一個狹縫式曝光帶（slit）照射在掩模上，載有掩模的工件臺在狹縫下沿著一個方向移動，等價于曝光系統對掩模做了掃描，與掩模的掃描同步，晶圓沿相反的方向以1/4的速度移動。現代光刻機中，掩模掃描的速度
光刻機的曝光度
a.接觸式曝光（Contact Printing）：掩膜板直接與光刻膠層接觸。曝光出來的圖形與掩膜板上的圖形分辨率相當，設備簡單。接觸式，根據施加力量的方式不同又分為：軟接觸，硬接觸和真空接觸。1.軟接觸 就是把基片通過托盤吸附住（類似于勻膠機的基片放置方式），掩膜蓋在基片上面；2.硬接觸 是將基片
光刻機是什么
光刻機又名掩模對準曝光機、曝光系統、光刻系統等，是制造芯片的核心裝備。它采用類似照片沖印的技術，把掩膜版上的精細圖形通過光線的曝光印制到硅片上。光刻機的種類可分為：接觸式曝光、接近式曝光、投影式曝光。 光刻機的工作原理是通過一系列的光源能量、形狀控制手段，將光束透射過畫著線路圖的掩模，經物鏡補
光刻機是什么東西
光刻機（Mask Aligner) 又名：掩模對準曝光機，曝光系統，光刻系統等，是制造芯片的核心裝備。它采用類似照片沖印的技術，把掩膜版上的精細圖形通過光線的曝光印制到硅片上。光刻機的品牌眾多，根據采用不同技術路線的可以歸納成如下幾類：高端的投影式光刻機可分為步進投影和掃描投影光刻機兩種，分辨率通常
數字式測量投影儀的分類介紹
按結構形式分為數字式立式投影儀（物鏡光軸垂直于工作臺面；和數字式臥式投影儀（物鏡光軸平行于工作臺面）。 數字式立式投影儀(森乾儀器) 立式投影儀 臥式數字式測量投影儀(森乾儀器) 臥式投影儀 按成像的方向與被測工件的方向的關系分為數字式正像投影儀（成像與工件方向相同）和數字式反像投影儀成像
光刻機的分類
光刻機一般根據操作的簡便性分為三種，手動、半自動、全自動 A 手動：指的是對準的調節方式，是通過手調旋鈕改變它的X軸，Y軸和thita角度來完成對準，對準精度可想而知不高了； B 半自動：指的是對準可以通過電動軸根據CCD的進行定位調諧； C 自動： 指的是 從基板的上載下載，曝光時長和循
費歇爾投影式的投影規則
為了作出統一的分子構型表達式，費歇爾曾制定了三條投影規則： (1)將碳鏈放在垂直線上或豎起來，把氧化態較高的碳原子或命名時編號最小（主鏈中第一號）的碳原子C1放在最上端。 (2)投影時假定手性碳原子放在紙平面上，與垂直線(vertical line)相連的原子或基團（垂直方向的鍵 /豎鍵）表
手持光刻機如何使用
手動：指的是對準的調節方式，是通過手調旋鈕改變它的X軸，Y軸和thita角度來完成對準，對準精度可想而知不高了；光刻（photolithography）工藝是將掩膜版（光刻版）上的幾何圖形轉移到晶圓表面的光刻膠上。首先光刻膠處理設備把光刻膠旋涂到晶圓表面，再經過分步重復曝光和顯影處理之后，在晶圓上形
費歇爾投影式和紐曼投影式互換規律
費歇爾投影式和紐曼投影式互換規律：(1)費歇爾投影式十字架下方的碳對應紐曼投影式的前碳，費歇爾投影式十字架上方的碳對應紐曼投影式的后碳；(2)費歇爾投影式轉化為紐曼投影式時，先畫出全重疊構象，再分別旋轉前、后碳得到所需構型；(3)紐曼投影式轉化為費歇爾投影式時，先將紐曼投影式旋轉成全重疊構象，然后在
投影儀應用分類
應用環境 1、家庭影院型：其特點是亮度都在2000流明左右(隨著投影的發展這個數字在不斷的增大,對比度較高)，投影的畫面寬高比多為16：9，各種視頻端口齊全，適合播放電影和高清晰電視，適于家庭用戶使用。 2、便攜商務型投影儀：一般把重量低于2公斤的投影儀定義為商務便攜型投影儀，這個重量跟輕薄
細說接觸式光刻機的使用原理及性能指標
大家也許還不是非常的清楚，刻錄機的種類有非常的多，其中的技術原理也不盡相同，下面就由我來給大家簡單介紹一下有關接觸式光刻機的使用原理及性能指標。 接觸式光刻機的使用原理： 其實在我國對于接觸式光刻機，曝光時掩模壓在光刻膠的襯底晶片上，其主要優點是可以使用價格較低的設備制造出較小的特征尺寸。 我
菲舍爾投影式判定構型
相較于構象鋸架式（以下簡稱鋸架式）或紐曼投影式（以下簡稱紐曼式）來表示具有手性碳原子的化合物，費歇爾投影式更容易確定化合物的構型，并其進行命名。?甘油醛的D、L構型1951年，費歇爾采用(+)-甘油醛為標準物，并人為地規定在費歇爾投影式中第二號碳原子C2上的羥基，位于右側的為D構型，位于左側的為L構
菲舍爾投影式定義內容
概念辨析有機物的同分異構現象可分成兩大類：構造異構和立體異構。其中，立體異構又包括順反異構、對映異構和構象異構三種情況。而費歇爾投影式主要用于對映異構的書寫，對映異構體是分子式相同，構造式相同，但構型不同，互為鏡象但不能重合的立體異構體。從構象上分析，費歇爾式都是不穩定的重疊式構象，因此，在進行構象
光刻機的簡介和分類
光刻機（Mask Aligner）是制造微機電、光電、二極體大規模集成電路的關鍵設備。其分為兩種，一種是模板與圖樣大小一致的contact aligner，曝光時模板緊貼晶圓；另一種是利用類似投影機原理的stepper，獲得比模板更小的曝光圖樣。高端光刻機被稱為“現代光學工業之花”，制造難度很大
光刻壟斷難解，技術難在哪？
經常聽說，高端光刻機不僅昂貴而且還都是國外的，那么什么是光刻機呢？上篇我們聊了從原材料到拋光晶片的制成過程，今天我們就來聊聊什么是光刻～第一步驟的晶體生長機晶片的制造，我們上篇已經聊過了。今天我們要聊的是光刻，我們先簡單聊一聊硅的氧化（熱氧化），刻蝕的話我們后面再講。硅的氧化其中包含了在分立器件和集
投影儀的應用分類
一、按照應用環境分類1、家庭影院型：其特點是亮度都在2000流明左右(隨著投影的發展這個數字在不斷的增大,對比度較高)，投影的畫面寬高比多為16：9，各種視頻端口齊全，適合播放電影和高清晰電視，適于家庭用戶使用。2、便攜商務型投影儀：一般把重量低于2公斤的投影儀定義為商務便攜型投影儀，這個重量跟輕薄
光刻機的性能指標
光刻機的主要性能指標有：支持基片的尺寸范圍，分辨率、對準精度、曝光方式、光源波長、光強均勻性、生產效率等。 分辨率是對光刻工藝加工可以達到的最細線條精度的一種描述方式。光刻的分辨率受受光源衍射的限制,所以與光源、光刻系統、光刻膠和工藝等各方面的限制。 對準精度是在多層曝光時層間圖案的定位精度
光刻機的性能指標
光刻機的主要性能指標有：支持基片的尺寸范圍，分辨率、對準精度、曝光方式、光源波長、光強均勻性、生產效率等。 分辨率是對光刻工藝加工可以達到的最細線條精度的一種描述方式。光刻的分辨率受受光源衍射的限制，所以與光源、光刻系統、光刻膠和工藝等各方面的限制。 對準精度是在多層曝光時層間圖案的定位精度
光電所研制出實用深紫外光刻機
近日，中國科學院光電技術研究所微電子專用設備研發團隊研制成功波長254nm的實用深紫外光刻機（Mask aligner），光刻分辨力達到500nm。 Mask aligner因使用方便、效率高、成本低，一直是使用面最廣、使用數量最多的一種光刻設備。在現有的微納加工工藝中，光刻所采用的波段是決定
透射式投影儀簡介
透射式投影儀（Overhead projector）是一種將透明幻燈片放置在書寫玻璃臺上，利用燈光透過玻璃臺進行照射成像的投影儀。這種投影儀方便即時書寫，適合在課堂、辦公室中進行講解時使用。但如今隨著計算機的發展已經被逐漸淘汰。
?什么是紐曼投影式？
紐曼投影式（英語：Newman projection），簡稱紐曼式，是表示有機化合物立體結構的一種方法，由美國化學家梅爾文·斯賓塞·紐曼于1952年命名。它是沿碳-碳鍵的鍵軸的投影，以交叉的三根鍵表示位于前方的碳原子及其鍵，以被一個圓擋住的三根鍵表示位于后方的碳原子及其鍵。若該碳-碳鍵為重疊式構象，
菲舍爾投影式定理應用
例一方位法雖然能夠直截了當找出基團的對應關系，但是如下圖例1，如果題目已經將要轉換的化學式的部分基團寫明，讓我們寫出余下的對應的基團時，就需要一些技巧。解：為方便寫出費歇爾投影式，首先要把紐曼投影式中的兩個甲基旋轉到全重疊位置。注意此時兩個甲基寫在費歇爾投影式的豎線上，表面相對于觀察者來說即是“向后
光刻機是干什么用的，工作原理是什么
一、用途光刻機是芯片制造的核心設備之一，按照用途可以分為好幾種：有用于生產芯片的光刻機；有用于封裝的光刻機；還有用于LED制造領域的投影光刻機。用于生產芯片的光刻機是中國在半導體設備制造上最大的短板，國內晶圓廠所需的高端光刻機完全依賴進口，本次廈門企業從荷蘭進口的光刻機就是用于芯片生產的設備。二、工
光刻機是干什么用的，工作原理是什么
一、用途光刻機是芯片制造的核心設備之一，按照用途可以分為好幾種：有用于生產芯片的光刻機；有用于封裝的光刻機；還有用于LED制造領域的投影光刻機。用于生產芯片的光刻機是中國在半導體設備制造上最大的短板，國內晶圓廠所需的高端光刻機完全依賴進口，本次廈門企業從荷蘭進口的光刻機就是用于芯片生產的設備。二、工
?費歇爾投影式的概念
費歇爾投影式是德國化學家赫爾曼·埃米爾·費歇爾(Hermann Emil Fischer)為使得書寫含手性碳原子的有機物變得更為簡潔，于1891年提出的一種化學結構式。費歇爾投影式用兩條交叉的線表示含碳化合物的四面體結構，相當于將球棍模型或透視式的3D結構分子經過扁平化，如此便可于紙平面上比較旋光異
費歇爾投影式的簡介
費歇爾投影式是德國化學家赫爾曼·埃米爾·費歇爾(Hermann Emil Fischer)為使得書寫含手性碳原子的有機物變得更為簡潔，于1891年提出的一種化學結構式。費歇爾投影式用兩條交叉的線表示含碳化合物的四面體結構，相當于將球棍模型或透視式的3D結構分子經過扁平化，如此便可于紙平面上比較旋光異
什么是費歇爾投影式？
費歇爾投影式是德國化學家赫爾曼·埃米爾·費歇爾(Hermann Emil Fischer)為使得書寫含手性碳原子的有機物變得更為簡潔，于1891年提出的一種化學結構式。費歇爾投影式用兩條交叉的線表示含碳化合物的四面體結構，相當于將球棍模型或透視式的3D結構分子經過扁平化，如此便可于紙平面上比較旋
哈沃斯投影式書寫規則
①一般成環的原子只有氧和碳，氧原子會標注出來，碳原子一般省略，以折點表示。②1號碳稱為異頭碳，該半縮醛/酮碳原子是原非手性的羰基碳。由異頭碳可衍生出兩種異構體，稱為端基差向異構體，半縮醛羥基與5號碳羥甲基在環平面異側的定為α-異構體，反之定為β-異構體。③連到碳原子上的氫原子可以寫出，也可省略。④粗
什么是哈沃斯投影式？
哈沃斯投影式（英語：Haworth projection），是表示單糖、雙糖或多糖所含單糖環形結構的一種常用方法，名稱來源于英國化學家沃爾特·霍沃思（Walter Norman Haworth）。