ICP設備(刻蝕機)共享
儀器名稱：ICP設備(刻蝕機)儀器編號：02001849產地：英國生產廠家：STS SURFACE TECN.型號：MESC Multiplex出廠日期：200001購置日期：200203所屬單位：集成電路學院>微納加工平臺>刻蝕工藝放置地點：微電子所新所一層工藝平臺固定電話：固定手機：固定email：聯系人：王喆垚（010-62772748,13552821122,z.wang@tsinghua.edu.cn）竇維治（010-62781090,13366273985,douwz@tsinghua.edu.cn）分類標簽：微納加工 深硅刻蝕 集成電路技術指標：硅深槽刻蝕，刻蝕速率3um/min知名用戶：清華大學、北京大學、中科院微電子所技術團隊：教授1人、副教授1人、工程師2人功能特色：本設備可進行硅片深刻蝕，加工尺寸為4英寸及以下硅片。Si刻蝕速率為3um/min，光刻膠硅刻蝕選擇比為1：20,均勻性小于5%。項目......閱讀全文
ICP設備(刻蝕機)共享
儀器名稱：ICP設備(刻蝕機)儀器編號：02001849產地：英國生產廠家：STS SURFACE TECN.型號：MESC Multiplex出廠日期：200001購置日期：200203所屬單位：集成電路學院>微納加工平臺>刻蝕工藝放置地點：微電子所新所一層工藝平臺固定電話：固定手機：固定emai
ICP設備(刻蝕機)共享應用
儀器名稱：ICP設備(刻蝕機)儀器編號：02001849產地：英國生產廠家：STS SURFACE TECN.型號：MESC Multiplex出廠日期：200001購置日期：200203所屬單位：集成電路學院>微納加工平臺>刻蝕工藝放置地點：微電子所新所一層工藝平臺固定電話：固定手機：固定emai
ICP刻蝕機Cl共享
儀器名稱：ICP刻蝕機-Cl儀器編號：13015109產地：日本生產廠家：愛發科型號：NE-550H(Cl)出廠日期：201211購置日期：201309所屬單位：集成電路學院>微納加工平臺>刻蝕工藝放置地點：微電子所新所一層微納平臺(暨微納技術實驗室)固定電話：固定手機：固定email：聯系人：李希
ICP刻蝕機F共享
儀器名稱：ICP刻蝕機-F儀器編號：13015108產地：日本生產廠家：愛發科型號：NE-550H(F)出廠日期：201211購置日期：201309所屬單位：集成電路學院>微納加工平臺>刻蝕工藝放置地點：微電子所新所一層微納平臺（暨微納技術實驗室）固定電話：固定手機：固定email：聯系人：竇維治（
ICP刻蝕機F共享應用
儀器名稱：ICP刻蝕機-F儀器編號：13015108產地：日本生產廠家：愛發科型號：NE-550H(F)出廠日期：201211購置日期：201309所屬單位：集成電路學院>微納加工平臺>刻蝕工藝放置地點：微電子所新所一層微納平臺（暨微納技術實驗室）固定電話：固定手機：固定email：聯系人：竇維治（
ICP刻蝕機Cl共享應用
儀器名稱：ICP刻蝕機-Cl儀器編號：13015109產地：日本生產廠家：愛發科型號：NE-550H(Cl)出廠日期：201211購置日期：201309所屬單位：集成電路學院>微納加工平臺>刻蝕工藝放置地點：微電子所新所一層微納平臺(暨微納技術實驗室)固定電話：固定手機：固定email：聯系人：李希
愛發科ICP刻蝕機F共享應用
儀器名稱：ICP刻蝕機-F儀器編號：13015108產地：日本生產廠家：愛發科型號：NE-550H(F)出廠日期：201211購置日期：201309所屬單位：集成電路學院>微納加工平臺>刻蝕工藝放置地點：微電子所新所一層微納平臺（暨微納技術實驗室）固定電話：固定手機：固定email：聯系人：竇維治（
愛發科ICP刻蝕機Cl共享應用
儀器名稱：ICP刻蝕機-Cl儀器編號：13015109產地：日本生產廠家：愛發科型號：NE-550H(Cl)出廠日期：201211購置日期：201309所屬單位：集成電路學院>微納加工平臺>刻蝕工藝放置地點：微電子所新所一層微納平臺(暨微納技術實驗室)固定電話：固定手機：固定email：聯系人：李希
NICP刻蝕機共享
儀器名稱：NICP刻蝕機儀器編號：02011812產地：中國生產廠家：中科院微電子中心自制型號：NICP-I型出廠日期：200107購置日期：200210所屬單位：集成電路學院>微納加工平臺>刻蝕工藝放置地點：微電子所新所一層微納平臺固定電話：固定手機：固定email：聯系人：竇維治（010-627
NICP刻蝕機共享應用
儀器名稱：NICP刻蝕機儀器編號：02011812產地：中國生產廠家：中科院微電子中心自制型號：NICP-I型出廠日期：200107購置日期：200210所屬單位：集成電路學院>微納加工平臺>刻蝕工藝放置地點：微電子所新所一層微納平臺固定電話：固定手機：固定email：聯系人：竇維治（010-627
LAM－干法刻蝕機共享應用
儀器名稱：干法刻蝕機儀器編號：16002654產地：美國生產廠家：LAM型號：LAM4520XL出廠日期：199801購置日期：201602所屬單位：集成電路學院>微納加工平臺>刻蝕工藝放置地點：微納平臺固定電話：固定手機：固定email：聯系人：竇維治（010-62781090,133662739
等離子體/化學刻蝕設備——等離子刻蝕機簡介
等離子刻蝕機，又叫等離子蝕刻機、等離子平面刻蝕機、等離子體刻蝕機、等離子表面處理儀、等離子清洗系統等。等離子刻蝕，是干法刻蝕中最常見的一種形式，其原理是暴露在電子區域的氣體形成等離子體，由此產生的電離氣體和釋放高能電子組成的氣體，從而形成了等離子或離子，電離氣體原子通過電場加速時，會釋放足夠的力
北京埃德萬斯離子束刻蝕機共享應用
儀器名稱：離子束刻蝕機儀器編號：07001234產地：中國生產廠家：北京埃德萬斯公司型號：LKJ-ID-150出廠日期：200608購置日期：200701所屬單位：物理系>離子束刻蝕實驗室放置地點：理科樓C-207固定電話：62772764固定手機：13552113513固定email：jiangl
弘塑刻蝕系統共享應用
儀器名稱：刻蝕系統儀器編號：04009242產地：臺灣生產廠家：弘塑科技有限公司型號：NitrideEtch出廠日期：200312購置日期：200410所屬單位：物理系>納米中心>納米中心加工平臺放置地點：納米樓超凈間固定電話：固定手機：固定email：聯系人：馬偉濤（010-62796022,13
等離子體/化學刻蝕設備的刻蝕分類
刻蝕最簡單最常用分類是：干法刻蝕和濕法刻蝕。顯而易見，它們的區別就在于濕法使用溶劑或溶液來進行刻蝕。 濕法刻蝕是一個純粹的化學反應過程，是指利用溶液與預刻蝕材料之間的化學反應來去除未被掩蔽膜材料掩蔽的部分而達到刻蝕目的。其特點是： 濕法刻蝕在半導體工藝中有著廣泛應用：磨片、拋光、清洗、腐蝕
清華大學儀器共享平臺中科院微電子－NICP刻蝕機
儀器名稱：NICP刻蝕機儀器編號：02011812產地：中國生產廠家：中科院微電子中心自制型號：NICP-I型出廠日期：200107購置日期：200210所屬單位：集成電路學院>微納加工平臺>刻蝕工藝放置地點：微電子所新所一層微納平臺固定電話：固定手機：固定email：聯系人：李希有（010-627
等離子體/化學刻蝕設備中刻蝕的解釋
刻蝕，英文為Etch，它是半導體制造工藝，微電子IC制造工藝以及微納制造工藝中的一種相當重要的步驟。是與光刻 [1] 相聯系的圖形化（pattern）處理的一種主要工藝。所謂刻蝕，實際上狹義理解就是光刻腐蝕，先通過光刻將光刻膠進行光刻曝光處理，然后通過其它方式實現腐蝕處理掉所需除去的部分。刻蝕是
GCS采購牛津儀器ICP復合刻蝕系統
刻蝕、沉積和生長系統的領先供應商牛津儀器今日宣布與全球通信半導體公司（GCS）簽訂了PlasmaPro? System100 ICP 180復合刻蝕系統的訂單。這將會擴大GCS的加利福利亞工廠在電介質和氮化鎵刻蝕的能力，并將會安裝更多牛津儀器提供的設備。 “GCS之所以選擇牛津儀器，是因為他們
等離子刻蝕機簡介
等離子刻蝕機，又叫等離子蝕刻機、等離子平面刻蝕機、等離子體刻蝕機、等離子表面處理儀、等離子清洗系統等。等離子刻蝕，是干法刻蝕中最常見的一種形式，其原理是暴露在電子區域的氣體形成等離子體，由此產生的電離氣體和釋放高能電子組成的氣體，從而形成了等離子或離子，電離氣體原子通過電場加速時，會釋放足夠的力
等離子體/化學刻蝕設備化學刻蝕的介紹和過程
化學蝕刻（Chemical etching） 蝕刻是將材料使用化學反應或物理撞擊作用而移除的技術。 蝕刻技術可以分為『濕蝕刻』(wet etching)及『干蝕刻』(dry etching)兩類。 通常所指蝕刻也稱光化學蝕刻（photochemical etching），指通過曝光制版、顯
簡介等離子刻蝕機的應用
等離子體處理可應用于所有的基材，甚至復雜的幾何構形都可以進行等離子體活化、等離子體清洗，等離子體鍍膜也毫無問題。等離子體處理時的熱負荷及機械負荷都很低，因此，低壓等離子體也能處理敏感性材料。等離子刻蝕機的典型應用包括： 等離子體清除浮渣 光阻材料剝離 表面處理 各向異性和各向同性失效分析
等離子刻蝕機有哪些缺點？
1、 硅片水平運行，機片高（等離子刻蝕去PSG槽式浸泡甩干，硅片受沖擊小）； 2、下料吸筆易污染硅片（等離子刻蝕去PSG后甩干）； 3、傳動滾軸易變形（PVDF，PP材質且水平放置易變形）； 4、成本高（化學品刻蝕代替等離子刻蝕成本增加）。
等離子刻蝕機的原理簡介
感應耦合等離子體刻蝕法（Inductively Coupled Plasma Etch，簡稱ICPE）是化學過程和物理過程共同作用的結果。它的基本原理是在真空低氣壓下，ICP 射頻電源產生的射頻輸出到環形耦合線圈，以一定比例的混合刻蝕氣體經耦合輝光放電，產生高密度的等離子體，在下電極的RF 射頻
等離子刻蝕機的結構簡介
ICP 設備主要包括預真空室、刻蝕腔、供氣系統和真空系統四部分。 （1）預真空室 預真空室的作用是確保刻蝕腔內維持在設定的真空度，不受外界環境（如：粉塵、水汽）的影響，將危險性氣體與潔凈廠房隔離開來。它由蓋板、機械手、傳動機構、隔離門等組成。 （2）刻蝕腔體 刻蝕腔體是ICP 刻蝕設備的
等離子刻蝕機的操作及判斷
1. 確認萬用表工作正常，量程置于200mV。 2.冷探針連接電壓表的正電極，熱探針與電壓表的負極相連。 3.用冷、熱探針接觸硅片一個邊沿不相連的兩個點，電壓表顯示這兩點間的電壓為正值，說明導電類型為P 型，刻蝕合格。相同的方法檢測另外三個邊沿的導電類型是否為P型。 4.如果經過檢驗，任何
超聲檢測設備共享
儀器名稱：超聲檢測設備儀器編號：12006229產地：德國生產廠家：PVA型號：KSI SAM300出廠日期：201110購置日期：201204所屬單位：集成電路學院>微納加工平臺>封裝工藝放置地點：微電子所新所一樓微納平臺固定電話：固定手機：固定email：聯系人：馬海艷（010-66668888
等離子刻蝕機的測量與控制方法
由于等離子刻蝕工藝中的過程變量，如刻蝕率、氣壓、溫度、等離子阻抗，等等，不易測量，因此業界常用的測量方法有： 虛擬測量（Virtual Metrology） 光譜測量（Optical emission spectroscopy） 等離子阻抗監控（Plasma impedance monit
等離子刻蝕機的測量與控制方法
由于等離子刻蝕工藝中的過程變量，如刻蝕率、氣壓、溫度、等離子阻抗，等等，不易測量，因此業界常用的測量方法有： 虛擬測量（Virtual Metrology） 光譜測量（Optical emission spectroscopy） 等離子阻抗監控（Plasma impedance monit
清華大學儀器共享平臺Gatan－離子束鍍膜刻蝕系統
儀器名稱：離子束鍍膜刻蝕系統儀器編號：14012804產地：美國生產廠家：Gatan型號：682出廠日期：201308購置日期：201407樣品要求：尺寸要求：最大尺寸直徑32mm、高度10mm樣品其他要求：真空下不能有揮發物。所屬單位：材料學院>材料中心 >電鏡中心放置地點：主樓11-127固定電
關于等離子刻蝕機裝片的相關介紹
等離子體系統效應的過程轉換成材料的蝕刻工藝。在待刻蝕硅片的兩邊，分別放置一片與硅片同樣大小的玻璃夾板，疊放整齊，用夾具夾緊，確保待刻蝕的硅片中間沒有大的縫隙。 將夾具平穩放入反應室的支架上，關好反應室的蓋子。 等離子刻蝕檢驗原理為冷熱探針法，具體方法如下： 熱探針和N型半導體接觸時，傳導電