光刻機的紫外光源
曝光系統最核心的部件之一是紫外光源。 常見光源分為: 可見光：g線：436nm 紫外光（UV），i線：365nm 深紫外光（DUV）,KrF 準分子激光：248 nm, ArF 準分子激光：193 nm 極紫外光（EUV），10 ~ 15 nm 對光源系統的要求 a.有適當的波長。波長越短，可曝光的特征尺寸就越小；[波長越短，就表示光刻的刀鋒越鋒利，刻蝕對于精度控制要求越高。] b.有足夠的能量。能量越大，曝光時間就越短； c.曝光能量必須均勻地分布在曝光區。[一般采用光的均勻度 或者叫 不均勻度 光的平行度等概念來衡量光是否均勻分布] 常用的紫外光光源是高壓弧光燈（高壓汞燈），高壓汞燈有許多尖銳的光譜線，經過濾光后使用其中的g 線（436 nm）或i 線（365 nm）。 對于波長更短的深紫外光光源，可以使用準分子激光。例如KrF 準分子激光（248 nm）、ArF 準分子激光（193 nm）和F2準......閱讀全文
光刻機的紫外光源
曝光系統最核心的部件之一是紫外光源。 常見光源分為: 可見光：g線：436nm 紫外光（UV），i線：365nm 深紫外光（DUV）,KrF 準分子激光：248 nm, ArF 準分子激光：193 nm 極紫外光（EUV），10 ~ 15 nm 對光源系統的要求 a.有適當的波長。
極紫外線光刻機和簡介和功能
極紫外線光刻機是芯片生產工具，是生產大規模集成電路的核心設備，對芯片工藝有著決定性的影響。小于5納米的芯片晶圓，只能用EUV光刻機生產。 2018年4月，中芯國際向阿斯麥下單了一臺EUV（極紫外線）光刻機，預計將于2019年初交貨。 功能 光刻機（又稱曝光機）是生產大規模集成電路的核心設備
D2000－|－紫外氘燈光源
D2000 | 紫外氘燈光源?D-2000氘燈光源上海聞奕光電技有限公司的D-2000氘燈光源能夠產生穩定的190-400nm的輸出光譜。其峰-峰穩定性小于0.005%，漂移僅為+/-0.5%每小時。特點：1、深紫外覆蓋。覆蓋范圍是190－400nm；2、性能卓越。峰-峰穩定性小于0.005%的超級
紫外光源可以選擇哪些燈
工作原理：廣明源UV光解紫外線燈利用“光解氧化”原理，使有機高分子有機廢氣分子鏈在高能紫外線光束照射下，降解轉變成低分子化合物，并進一步降解為無害的CO2、H2O等；利用高能高臭氧UV紫外線光分解空氣中的氧分子產生游離氧，即活性氧，進而產生臭氧，對有機氣體進行分解；同時在紫外線的作用下，臭氧與空
光刻機為什么一定用紫外線
光刻機采用激光將圖形刻印在半導體上，但光是電磁波，不同的光線具有不同的波長。如果需要刻印的圖形非常微小，而采用的光線波長較大，則刻不出想要的圖形。就像你不能用拖把（書寫痕跡粗大）在田字格本上寫毛筆字（筆劃細小）。現在的芯片集成度越來越高，最高端的芯片工藝已經到了2nm級別。而可見光波長在780nm（
用紫外線光源檢測血跡的原理
因為血跡在紫外線照射下呈土棕色反應，因而，利用紫外線進行檢查，可以鑒別有無血跡存在的可能。肉眼檢查是要發現血跡，觀察其顏色、形態和部位，以便為下一步的檢驗做好準備，并為確定案件性質，分析判斷案情提供幫助。該試驗為初步的、試探性的血跡檢驗，目的是為了解決有無血跡存在的可能性。預備試驗方法簡便，靈敏度高
極紫外光源技術項目通過驗收
9月23至24日，由中國科學院大連化學物理研究所分子反應動力學國家重點實驗室楊學明院士承擔的中國科學院關鍵技術研發團隊項目“極紫外光源技術及其在能源基礎科學研究中的應用團隊”通過驗收。 中科院條件保障與財務局組織驗收專家組聽取了項目總體報告和三個核心成員報告，了解了財務審查情況，現場查看了項
人工加速老化光源之熒光紫外燈
?從理論上說，300nm~400nm的短波能量是引起老化的主要因素。如果增加這部分能量，就能達到快速試驗的效果。熒光紫外燈的光譜分布主要集中在紫外光部分，因此，可以達到較高的加速倍率。然而，熒光紫外燈不僅使自然日光中的紫外線能量增加，同時還有在地球表面測量時自然日光中沒有的輻射能量，而這部分能量會引
深紫外固態激光源裝備通過驗收
9月6日，由中國科學院承擔的國家重大科研裝備研制項目“深紫外固態激光源前沿裝備研制項目”在北京通過驗收。該系列前沿裝備中的深紫外非線性光學晶體與器件平臺、深紫外全固態激光源平臺，以及基于這兩個平臺研制的8臺新型深紫外激光科研裝備各項既定目標全面完成，使我國成為世界上唯一一個能夠制造實用
細說接觸式光刻機的使用原理及性能指標
大家也許還不是非常的清楚，刻錄機的種類有非常的多，其中的技術原理也不盡相同，下面就由我來給大家簡單介紹一下有關接觸式光刻機的使用原理及性能指標。 接觸式光刻機的使用原理： 其實在我國對于接觸式光刻機，曝光時掩模壓在光刻膠的襯底晶片上，其主要優點是可以使用價格較低的設備制造出較小的特征尺寸。 我
光電所研制出實用深紫外光刻機
近日，中國科學院光電技術研究所微電子專用設備研發團隊研制成功波長254nm的實用深紫外光刻機（Mask aligner），光刻分辨力達到500nm。 Mask aligner因使用方便、效率高、成本低，一直是使用面最廣、使用數量最多的一種光刻設備。在現有的微納加工工藝中，光刻所采用的波段是決定
寬刀雕細活－我國造出新式光刻機
11月29日，中科院光電技術研究所承擔的國家重大科研裝備研制項目“超分辨光刻裝備研制”通過驗收，這是世界上首臺用紫外光源實現了22納米分辨率的光刻機。 光刻機相當于一臺投影儀，將精細的線條圖案投射于感光平板，光就是一把雕刻刀。但線條精細程度有極限——不能低于光波長的一半。“光太胖，門縫太窄，
熒光光度計的光源和紫外可見
在生物實驗中，常常看到可見分光光度計、紫外可見分光光度計、熒光分光光度計。但可能很多人不太清楚它們之間的區別，現將其簡要介紹如下。 一、可見分光光度計與紫外可見分光光度計的區別 1、儀器分析的波長范圍不一樣，紫外可見分光光度計的波長范圍是：200nm-1000nm，其中200nm-330nm
攻克“光源中的光源”，中國芯走上新道路
當前，芯片問題廣受關注，而半導體工業皇冠上的明珠——以極紫外（EUV）光刻機為代表的高端光刻機，則是我國集成電路（IC）產業高質量發展必須邁過的“如鐵雄關”。 如何在短期內加快自主生產高端光刻機的步伐，打破國外的技術封鎖和市場壟斷？筆者認為，應找準關鍵技術，攻克核心設備，躋身上游產業。認清光刻關
紫外老化箱光源系統及燈管替換方法
紫外老化箱光源系統：?1.光源采用8支額定功率為（40W/支）的UV系列熒光紫外燈管作發光源（燈管長度1200mm）。?2.符合標準燈管有UVA-340和UVB-313光源供用戶選擇配置（任選一種）。?3.UVA-340紫外線燈波長范圍為315～400nm，燈管的發光光譜能量主要集中在340nm的波
28納米光刻機如何生產5納米芯片
28納米光刻機作為先進半導體芯片制造中的重要設備之一，其本身的生產工藝無法支持5納米的芯片生產。但是，通過使用一系列先進的制造技術和調整設備參數等手段，可以將28納米光刻機用于5納米芯片生產。主要方法包括以下幾個方面：1. 使用多重曝光技術：將同一影像進行多次疊加曝光，在不同的位置形成復雜圖形，在提
紫外耐氣候老化試驗箱的光源分析
?紫外光耐氣候試驗設備是另一種模擬光照的光老化試驗設備，它主要模擬陽光中的紫外光。同時它還可以再現雨水和露水所產生的破壞。設備通過將待測材料曝曬放在經過控制的陽光和濕氣的交互循環中，同時提高溫度的方式來進行試驗。設備采用紫外線熒光燈模擬陽光，同時還可以通過冷凝或噴淋的方式模擬濕氣影響。???????
光刻機的分類
光刻機一般根據操作的簡便性分為三種，手動、半自動、全自動 A 手動：指的是對準的調節方式，是通過手調旋鈕改變它的X軸，Y軸和thita角度來完成對準，對準精度可想而知不高了； B 半自動：指的是對準可以通過電動軸根據CCD的進行定位調諧； C 自動： 指的是 從基板的上載下載，曝光時長和循
光刻機的種類
a.接觸式曝光（Contact Printing）：掩膜板直接與光刻膠層接觸。曝光出來的圖形與掩膜板上的圖形分辨率相當，設備簡單。接觸式，根據施加力量的方式不同又分為：軟接觸，硬接觸和真空接觸。 1.軟接觸 就是把基片通過托盤吸附住（類似于勻膠機的基片放置方式），掩膜蓋在基片上面； 2.硬接
光刻機的概述
光刻機（Mask Aligner）是制造微機電、光電、二極體大規模集成電路的關鍵設備。其分為兩種，一種是模板與圖樣大小一致的contact aligner，曝光時模板緊貼晶圓；另一種是利用類似投影機原理的stepper，獲得比模板更小的曝光圖樣。高端光刻機被稱為“現代光學工業之花”，制造難度很大
紫外老化試驗箱，燈管光源如何選擇？
光源采用8支額定功率為40W的進口紫外熒光燈作發光源。紫外線熒光燈管，分布在機器的兩側，每側各4支。有UVA-340和UVB-313光源供用戶選擇配置。那么對于這兩種光源，它們有著哪些本質的區別呢？1、UVA?燈管UVA燈管主要用于比較不同類型的聚合物。因為UVA燈管在295nm以下沒有UV的成份發
紫外納米壓印光刻機提升我國微納級制造業能力
記者日前從中科院光電技術研究所獲悉，該所微電子專用設備研發團隊已自主研制出一種新型紫外納米壓印光刻機，其成本僅為國外同類設備1/3，將有力推進我國芯片加工等微納級結構器件制造水平邁上新的臺階。 光刻機是微納圖形加工的專用高端設備。光電所微電子裝備總體研究室主任胡松介紹，這套設備采用新型納米對準
光刻機原理
光刻機原理是通過一系列的光源能量、形狀控制手段，將光束透射過畫著線路圖的掩模，經物鏡補償各種光學誤差，將線路圖成比例縮小后映射到晶圓上，最后形成芯片。就好像原本一個空空如也的大腦，通過光刻技術把指令放進去，那這個大腦才可以運作，而電路圖和其他電子元件就是芯片設計人員設計的指令。光刻機就是把芯片制作所
光刻機原理
光刻機原理： 是利用光刻機發出的光通過具有圖形的光罩對涂有光刻膠的薄片曝光，光刻膠見光后會發生性質變化，從而使光罩上得圖形復印到薄片上，從而使薄片具有電子線路圖的作用。這就是光刻的作用，類似照相機照相。照相機拍攝的照片是印在底片上，而光刻刻的不是照片，而是電路圖和其他電子元件。光刻是集成電路最重要的
清華大學歷經10年，光刻機領域《自然》發文
在芯片制造業中，光刻機是必不可少的精密設備——每顆芯片誕生之初，都要經過光刻技術的鍛造。也正因為此，與之相關的突破性研究成果備受關注。 2月25日，清華大學的一項科研成果刊登在《自然》上，引起了國內外學術界及產業界的高度關注。《自然》評閱人認為其“展示了一種新的方法論”，“必將引起粒子加速器和
高效、便宜、輕便的新型紫外光源發生器問世
高密紫外光源在信息存儲、顯微儀器和化學分析方面具有廣泛應用前景 據美國物理學家組織網11月29日報道，現有的紫外光源功率較低，笨重且昂貴，美國密歇根大學研究人員開發出一種更加智能化的方法來制造高密紫外光源，而且耗能更少，在信息存儲、顯微儀器和化學分析方面具有廣泛應用前景。該研究發表在最新
紫外可見分光光度計的光源選擇
紫外光下用石英比色皿，可見光下可用玻璃比色皿，因為玻璃比色皿會吸收紫外光。
光刻機的曝光度
a.接觸式曝光（Contact Printing）：掩膜板直接與光刻膠層接觸。曝光出來的圖形與掩膜板上的圖形分辨率相當，設備簡單。接觸式，根據施加力量的方式不同又分為：軟接觸，硬接觸和真空接觸。1.軟接觸 就是把基片通過托盤吸附住（類似于勻膠機的基片放置方式），掩膜蓋在基片上面；2.硬接觸 是將基片
紫外老化試驗箱有幾支燈管做光源
紫外老化試驗箱光源:1.紫外老化試驗箱采用8支額定功率為40W紫外熒光燈作發光源。紫外線熒光燈管，分布在機器的兩側，每側各4支UVB-313燈管。2.UVB-313燈管的發光光譜能量主要集中在313nm的波長處3.由于熒光燈光能量輸出會隨時間而逐步衰減，為了減小因光能量衰減造成試驗的影響，所以本試驗
我國成功研制世界上最亮極紫外光源
中國科學院研制的“大連光源”15日發出了世界上最強的極紫外自由電子激光脈沖，單個皮秒激光脈沖產生140萬億個光子，成為世界上最亮且波長完全可調的極紫外自由電子激光光源。 在這樣的極紫外光照射下，區域內幾乎所有原子和分子都“無處遁形”。因此，“大連光源”可被用于觀測與燃燒、大氣以及潔凈能源相關的