光電化學蝕刻可用于制造氮化鎵中高縱橫比深溝槽
日本SCIOCS有限公司和法政大學曾報導了在氮化鎵（GaN）中利用光電化學（PEC）蝕刻深層高縱橫比溝槽的進展［Fumimasa Horikiri et al， Appl． Phys． Express， vol11， p091001， 2018］。 該團隊希望該技術能夠在高場中能夠利用GaN的高擊穿場和高電子遷移速度為電力電子技術開辟新的器件結構。具有p型和n型材料列的“超結”結構是需要通過深度蝕刻技術來實現的。當這種結構結合到橫向場效應晶體管中時，擊穿電壓能夠達到10kV以上。這種超結漂移區和其他深蝕刻結構也會對垂直器件有益。對于激光二極管，晶片切割應用和微機電系統（MEMS）的脊形制造，同樣需要高質量的快速蝕刻速率工藝。目前， PEC已經應用于臺面，柵極凹陷和垂直腔面發射激光器（VCSEL）制造工藝上。一般情況下，我們通過干等離子體蝕刻（如電感耦合等離子體反應離子蝕刻（ICP－RIE））來實現......閱讀全文
GCS采購牛津儀器ICP復合刻蝕系統
刻蝕、沉積和生長系統的領先供應商牛津儀器今日宣布與全球通信半導體公司（GCS）簽訂了PlasmaPro? System100 ICP 180復合刻蝕系統的訂單。這將會擴大GCS的加利福利亞工廠在電介質和氮化鎵刻蝕的能力，并將會安裝更多牛津儀器提供的設備。 “GCS之所以選擇牛津儀器，是因為他們
鎵是什么化學物質
氫氧化鎵是化學物質，分子式是Ga(OH)?。中文名氫氧化鎵外文名galliumhydroxide化學式Ga(OH)?分子量120.74502CAS登錄號12023-99-3目錄1簡介2性質3用途簡介編輯語音gallium hydroxide分子式： Ga(OH)3性質編輯語音白色膠狀物。兩性氫氧化物
微電子所等研制出國際先進的氮化鎵增強型MISHEMT器件
近日，中國科學院微電子研究所氮化鎵（GaN）功率電子器件研究團隊與香港科技大學教授陳敬團隊，西安電子科技大學教授、中科院院士郝躍團隊合作，在GaN增強型MIS-HEMT器件研制方面取得新進展，成功研制出具有國際先進水平的高頻增強型GaN MIS-HEMT器件。 第三代半導體材料氮化鎵具有高禁帶
新合金讓光電催化水解制氫更快捷
據美國物理學家組織網近日報道，美國科學家研制出了一種新的氮化鎵—銻合金，其能更方便地利用太陽光將水分解為氫氣和氧氣，這種新的水解制氫方法不僅成本低廉且不會排放出二氧化碳。 科學家們在美國能源部的資助下，借用最先進的理論計算證明，在氮化鎵（GaN）化合物中，2%的氮化鎵由銻（S
科學家研制新合金讓光電催化水解制氫更快捷
據美國物理學家組織網近日報道，美國科學家研制出了一種新的氮化鎵—銻合金，其能更方便地利用太陽光將水分解為氫氣和氧氣，這種新的水解制氫方法不僅成本低廉且不會排放出二氧化碳。 科學家們在美國能源部的資助下，借用最先進的理論計算證明，在氮化鎵（GaN）化合物中，2%的氮化鎵由銻（Sb）替代
我國團隊研制出世界首個氮化鎵量子光源芯片
近日，該實驗室研究團隊與清華大學、中國科學院上海微系統與信息技術研究所合作，在國際上首次研制出氮化鎵量子光源芯片，這也是電子科技大學“銀杏一號”城域量子互聯網研究平臺取得的又一項重要進展，相關成果發表在《物理評論快報》上。據了解，量子光源芯片是量子互聯網的核心器件，可以看作點亮“量子房間”的“量子燈
我團隊研制出世界首個氮化鎵量子光源芯片
4月18日，記者從電子科技大學信息與量子實驗室獲悉，近日，該實驗室研究團隊與清華大學、中國科學院上海微系統與信息技術研究所合作，在國際上首次研制出氮化鎵量子光源芯片，這也是電子科技大學“銀杏一號”城域量子互聯網研究平臺取得的又一項重要進展，相關成果發表在《物理評論快報》上。據了解，量子光源芯片是量子
我國團隊研制出世界首個氮化鎵量子光源芯片
4月18日，記者從電子科技大學信息與量子實驗室獲悉，近日，該實驗室研究團隊與清華大學、中國科學院上海微系統與信息技術研究所合作，在國際上首次研制出氮化鎵量子光源芯片，這也是電子科技大學“銀杏一號”城域量子互聯網研究平臺取得的又一項重要進展，相關成果發表在《物理評論快報》上。據了解，量子光源芯片是量子
王浩敏團隊制備成功石墨烯納米帶
3月10日，記者從中科院上海微系統所獲悉，該所信息功能材料國家重點實驗室王浩敏團隊在國際上首次通過模板法在六角氮化硼溝槽中實現石墨烯納米帶可控生長，成功打開石墨烯帶隙，并在室溫下驗證了其優良的電學性能，為研發石墨烯數字電路提供了一種可能的技術路徑。3月9日，相關研究成果發表于《自然—通訊》雜志
王浩敏團隊制備成功石墨烯納米帶
3月10日，記者從中科院上海微系統所獲悉，該所信息功能材料國家重點實驗室王浩敏團隊在國際上首次通過模板法在六角氮化硼溝槽中實現石墨烯納米帶可控生長，成功打開石墨烯帶隙，并在室溫下驗證了其優良的電學性能，為研發石墨烯數字電路提供了一種可能的技術路徑。3月9日，相關研究成果發表于《自然—通訊》雜志
等離子體清洗機在堆積工藝中的運用
等離子體清洗機在堆積工藝中的運用由以下四個進程組成。（1）電子和反響氣體發作電子碰撞反響，生成離子和自由基；（2）活性組分從等離子體傳輸到基底外表；（3）活性組分經過吸附作用或物化反響堆積到基底外表；（4）活性組分或反響產品成為堆積薄膜的組成部分。在高密度等離子體化學氣相堆積工藝中，堆積和刻蝕進程往
下一代半導體的寬與窄
隨著以氮化鎵、碳化硅為代表的第三代半導體步入產業化階段，對新一代半導體材料的探討已經進入大眾視野。走向產業化的銻化物，以及國內外高度關注的氧化鎵、金剛石、氮化鋁鎵等，都被視為新一代半導體材料的重要方向。從帶隙寬度來看，銻化物屬于窄帶半導體，而氧化鎵、金剛石、氮化鋁屬于超寬禁帶半導體。 超寬禁帶
氮化鎵植于石墨烯可制成隨意折疊變形的LED材料
目前，許多由有機材料制造的電子和光電子材料都具備良好的柔韌度，易于改變形狀。與此同時，不易形變的無機化合物在制造光學、電氣和機械元件方面展現出了強大的性能。但由于技術原因，二者卻很難優勢互補，功能優異的無機化合物半導體也因不易塑形的特點而遇到了發展障礙。 幸好，氮化鎵與石墨烯的結合，部分實現了
響應設備更新政策－|－半導體制造工藝、結構與表征解決方案
半導體制造工藝電動汽車等高新技術領域對高效動力轉換的需求與日俱增，碳化硅與氮化鎵材料扮演關鍵性角色,有效降低能耗并提升動力轉換效率。牛津通過原子層沉積(ALD)與原子層刻蝕(ALE)技術優化了器件工藝。ALD工藝出色的 AlN/Al2O3/SiO2?鈍化薄膜有效降低器件中的閾值電壓漂移。而ALE低損
寬帶隙半導體材料的特征
氮化鎵、碳化硅和氧化鋅等都是寬帶隙半導體材料，因為它的禁帶寬度都在3個電子伏以上，在室溫下不可能將價帶電子激發到導帶。器件的工作溫度可以很高，比如說碳化硅可以工作到600攝氏度；金剛石如果做成半導體，溫度可以更高，器件可用在石油鉆探頭上收集相關需要的信息。它們還在航空、航天等惡劣環境中有重要應用。廣
寬帶隙半導體材料的特性
氮化鎵、碳化硅和氧化鋅等都是寬帶隙半導體材料，因為它的禁帶寬度都在3個電子伏以上，在室溫下不可能將價帶電子激發到導帶。器件的工作溫度可以很高，比如說碳化硅可以工作到600攝氏度；金剛石如果做成半導體，溫度可以更高，器件可用在石油鉆探頭上收集相關需要的信息。它們還在航空、航天等惡劣環境中有重要應用。廣
微波等離子體亞深微米刻蝕
利用微波電子回旋共振（ECR）可以產生高密度的等離子體，選擇不同的活性種粒分別對硅、砷化鎵等半導體，Al, Cu, W, Ti 等金屬，SiO2, Si3N4, Al2O3等無機物質和聚酰亞胺等有機物質，進行選擇性刻蝕，制備大規模集成電路的芯片。現在的刻蝕技術，主要是采用電子束或同步輻射束曝光后，用
賽富樂斯：創業路上遇到過不少“坑”
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2023/6/503645.shtm近日，2023年美國國際顯示周（SID Display Week 2023）在洛杉磯舉行，利亞德光電集團攜手參股企業——西安賽富樂斯半導體科技有限公司（以下簡稱賽富樂斯）亮相展會。《中
氮化鎵/碳化硅技術真的能主導我們的生活方式？（三）
SiC的高壓肖特基二極管應該是在幾年內在軌道交通中得到引用。而開關管的應用需要更長的系統評估。中車和國網在這方面的持續投入研發為SiC功率器件研究打下了深厚的基礎，是國家第三代半導體器件發展的中堅力量。 現在大家講第三代半導體產業往往關注于電力電子器件和射頻器件的市場，其實第三代半導體
氮化鎵/碳化硅技術真的能主導我們的生活方式？（二）
最近接連有消息報道，在美國和歐洲，氮化鎵和碳化硅技術除了在軍用雷達領域和航天工程領域得到了應用，在電力電子器件市場也有越來越廣泛的滲透。氮化鎵/碳化硅技術與傳統的硅技術相比，有哪些獨特優勢？ 大家最近都在談論摩爾定律什么時候終結？硅作為半導體的主要材料在摩爾定律的規律下已經走過了50多
氮化鎵/碳化硅技術真的能主導我們的生活方式？（四）
想要電動機啟動，可不是合上閘這么簡單。想要實現遠程控制和多點控制，需要做的還有很多。本文列舉幾個最基本的電動機控制回路，除了在生產中的機械控制需要用到外，在設計PLC電路時，這些也是必備單元。 本文將由易到難逐一講解。 電動機控制回路常用元件 按鈕▼ 按鈕分為啟動按鈕、停止按
南科大在新型多溝道氮化鎵電力電子器件領域取得進展
近日，南方科技大學電子與電氣工程系助理教授馬俊與瑞士洛桑聯邦理工大學教授Elison Matioli、蘇州晶湛半導體有限公司董事長程凱等團隊合作，在Nature Electronics發表了題目為“Multi-channel nanowire devices for efficient power
氮化鎵/碳化硅技術真的能主導我們的生活方式？（一）
全球有40%的能量作為電能被消耗了, 而電能轉換最大耗散是半導體功率器件。我國作為世界能源消費大國, 如何在功率電子方面減小能源消耗成了一個關鍵的技術難題。伴隨著第三代半導體電力電子器件的誕生，以碳化硅和氮化鎵為代表的新型半導體材料走入了我們的視野。 早在1893年諾貝爾獎獲得者法國化
溝槽蝶閥的那些結構特點介紹
溝槽蝶閥使用使用蝸桿轉動，帶動凸輪轉動。按照之前設置的位置信息將信號裝置上面的觸頭壓下，隨即輸出“通”電信號，來體現蝶閥開啟或關閉的情況。 溝槽式蝶閥密封橡膠選用的是EPDM，上軸與下軸都使用不銹鋼制成。 1.jpg 溝槽蝶閥結構特點： 1、小型輕便，容易拆裝
溝槽蝶閥的那些結構特點介紹
溝槽蝶閥使用使用蝸桿轉動，帶動凸輪轉動。按照之前設置的位置信息將信號裝置上面的觸頭壓下，隨即輸出“通”電信號，來體現蝶閥開啟或關閉的情況。 溝槽式蝶閥密封橡膠選用的是EPDM，上軸與下軸都使用不銹鋼制成。 1.jpg 溝槽蝶閥結構特點： 1、小型輕便，容易拆裝
我國科研人員為氧化鎵晶體管找到新結構方案
26日，記者從中國科學技術大學獲悉，該校微電子學院龍世兵教授課題組聯合中科院蘇州納米所加工平臺，分別采用氧氣氛圍退火和氮離子注入技術，首次研制出了氧化鎵垂直槽柵場效應晶體管。相關研究成果日前分別在線發表于《應用物理通信》《IEEE電子設備通信》上。 作為新一代功率半導體材料，氧化鎵的p型摻雜目前
牛津儀器等離子體技術—為刻蝕、沉積提供領先設備和工藝
分析測試百科網訊 2018年11月7日，牛津儀器在西安天驪君廷酒店召開等離子體技術在刻蝕與沉積工藝中的應用研討會，來自牛津儀器等離子技術部亞洲區銷售和服務副總裁Ian Wright先生為大家詳細介紹了牛津儀器等離子技術部的發展情況及產品介紹。研討會還邀請到西安電子科技大學楊凌教授、中國電子科技集
首支硅襯底氮化鎵基激光器問世可大幅降低器件制造成本
中科院蘇州納米技術與納米仿生所研究員楊輝團隊在硅上研制出第三代半導體氮化鎵基激光器，這也是世界上第一支可以在室溫下連續工作的硅襯底氮化鎵基激光器。相關研究成果近日刊登在《自然—光子學》。 隨著半導體科技的高速發展，科技工作者發現基于傳統技術路線來進行芯片與系統之間的數據通信越來越難以滿足更快的
蘇州納米所利用氮化鎵器件從事核應用研究取得系列成果
氮化鎵（GaN）是一種III / V直接帶隙半導體，作為第三代半導體材料的代表，隨著其生長工藝的不斷發展完善，現已廣泛應用于光電器件領域，如激光器（LD）、發光二極管（LED）、高電子遷移率晶體管（HEMT）等。GaN基材料的良好抗輻射性能和環境穩定性，使得其在核探測領域具有很好的
第三代半導體材料氮化鎵(GaN)技術與優勢詳解（四）
經過 頻譜分析儀和LISN測試，該設計的EMI符合EN55022B標準，并通過2.2 kV共模模式和1.1 kV 差分模式的浪涌測試。輸入電壓為115 Vac和230 Vac時，系統峰值效率分別超過95%和94%。該參考設計較現有采用硅的216 W電源參考設計減小25%的尺寸，提升2%的