半導體制造工藝
電動汽車等高新技術領域對高效動力轉換的需求與日俱增，碳化硅與氮化鎵材料扮演關鍵性角色,有效降低能耗并提升動力轉換效率。牛津通過原子層沉積(ALD)與原子層刻蝕(ALE)技術優化了器件工藝。ALD工藝出色的 AlN/Al2O3/SiO2 鈍化薄膜有效降低器件中的閾值電壓漂移。而ALE低損傷與原子等級的厚度精準控制更對納米等級柵槽的形貌達成完美的詮釋。
應用案例
全自動刻蝕和沉積設備在 3D Sensor 批量生產中的應用 原子層沉積（ALD）與原子層刻蝕（ALE）使碳化硅與氮化鎵功率器件更高效
提供 MicroLED 芯片制造解決方案 虛擬實境 ARVR 光學衍射組件制造技術 篩選低閾值 FET，用于低功耗低溫電子器件
半導體結構與表征
摩爾“定律”在過去 50 年間持續推動半導體行業向器件小型化趨勢發展，對半導體材料、制造工藝和檢測技術提出了更高要求。EDS 和 EBSD 技術已被廣泛應用于半導體器件的微區結構表征工作，如異物分析、無損膜厚測量、晶粒尺寸分析、應變表征、位錯類型及密度分析等。
應用案例
研究淀積金屬薄膜的晶粒尺寸及均勻性、織構
分析化合物半導體外延層中晶體學缺陷的密度 對半導體器件中的關鍵層進行高分辨率元素成像 快速分析不同位置薄膜生長表面形貌，提供后續工藝調整方向 檢測刻蝕前后表面微結構以及表面粗糙度的變化
檢測半導體晶圓的應力分布 GaN 晶體中的應力場 3D 拉曼成像
多功能328mm焦長光譜儀，配置UV-NIR探測器，可通過拉曼或者光致發光的方法對晶圓進行應力，翹曲以及缺陷檢測
半導體制造工藝電動汽車等高新技術領域對高效動力轉換的需求與日俱增，碳化硅與氮化鎵材料扮演關鍵性角色,有效降低能耗并提升動力轉換效率。牛津通過原子層沉積(ALD)與原子層刻蝕(ALE)技術優化了器件工藝......
半導體制造工藝電動汽車等高新技術領域對高效動力轉換的需求與日俱增，碳化硅與氮化鎵材料扮演關鍵性角色,有效降低能耗并提升動力轉換效率。牛津通過原子層沉積(ALD)與原子層刻蝕(ALE)技術優化了器件工藝......
半導體制造工藝電動汽車等高新技術領域對高效動力轉換的需求與日俱增，碳化硅與氮化鎵材料扮演關鍵性角色,有效降低能耗并提升動力轉換效率。牛津通過原子層沉積(ALD)與原子層刻蝕(ALE)技術優化了器件工藝......
半導體制造工藝電動汽車等高新技術領域對高效動力轉換的需求與日俱增，碳化硅與氮化鎵材料扮演關鍵性角色,有效降低能耗并提升動力轉換效率。牛津通過原子層沉積(ALD)與原子層刻蝕(ALE)技術優化了器件工藝......
半導體產業經過半個多世紀的發展，如今已經高度市場化、國際化。美國和中國分別是全球最強的芯片技術國和最大的芯片消費國，在市場經濟和產業分工下本應互為重要的合作伙伴。然而，在美國芯片制造業持續外流的背景下......
近日，中國科學院金屬研究所沈陽材料科學國家研究中心劉崗研究員團隊與國內外多個研究團隊合作，研制出將半導體顆粒嵌入液態金屬實現規模化成膜的新技術，并構建出新型仿生人工光合成膜，其具有類似樹葉的功能，在太......
美東時間周三，美國芯片巨頭英特爾在加州圣荷西舉辦了首次晶圓代工活動。美國商務部長吉娜·雷蒙多（GinaRaimondo）在活動上表示，如果美國想在半導體領域“引領世界”，就要進一步加大政府補貼投資，比......
摘要：當地時間2月19日，美國政府表示，將向GlobalFoundries（格芯）提供15億美元資金，以擴大半導體生產，以加強美國國內供應鏈。據外電報道，根據格芯與美國商務部達成的初步協議，該公司將在......
【2023年2月6日，中芯國際（00981.HK/688981.SH）和華虹半導體（01347.HK/688347.SH）同步發布了2023年度財報。】中芯國際2023年第四季度銷售收入約為16.78......
EUV（極紫外光刻）技術在半導體行業備受矚目。據ASML公布的2023年第三季度報告，EUV光刻機的預定額從5億歐元猛增至第四季度的56億歐元，預計將在2025年前后交付。這一技術由日本工程師木下博夫......