我國科研人員為氧化鎵晶體管找到新結構方案
26日，記者從中國科學技術大學獲悉，該校微電子學院龍世兵教授課題組聯合中科院蘇州納米所加工平臺，分別采用氧氣氛圍退火和氮離子注入技術，首次研制出了氧化鎵垂直槽柵場效應晶體管。相關研究成果日前分別在線發表于《應用物理通信》《IEEE電子設備通信》上。 作為新一代功率半導體材料，氧化鎵的p型摻雜目前尚未解決，氧化鎵場效應晶體管面臨著增強型模式難以實現和功率品質因數難以提升等問題，因此急需設計新結構氧化鎵垂直型晶體管。 研究人員分別采用氧氣氛圍退火和氮離子注入工藝制備了器件的電流阻擋層，并配合柵槽刻蝕工藝研制出了不需P型摻雜技術的氧化鎵垂直溝槽場效應晶體管結構。氧氣氛圍退火和氮離子注入所形成的電流阻擋層均能夠有效隔絕晶體管源、漏極之間的電流路徑，當施加正柵壓后，會在柵槽側壁形成電子積累的導電通道，實現對電流的調控。類似于硅經過氧氣氛圍退火處理可形成高阻表面層，氧化鎵采用該手段制備電流阻擋層具有缺陷少、無擴散、成本低等特點，器件......閱讀全文
我國科研人員為氧化鎵晶體管找到新結構方案
26日，記者從中國科學技術大學獲悉，該校微電子學院龍世兵教授課題組聯合中科院蘇州納米所加工平臺，分別采用氧氣氛圍退火和氮離子注入技術，首次研制出了氧化鎵垂直槽柵場效應晶體管。相關研究成果日前分別在線發表于《應用物理通信》《IEEE電子設備通信》上。 作為新一代功率半導體材料，氧化鎵的p型摻雜目前
美開發出迄今最小砷化銦鎵晶體管
硅半導體作為微芯片之王的日子已經屈指可數了，據物理學家組織網近日報道，美國麻省理工學院科學家開發出了有史以來最小的砷化銦鎵晶體管。該校微系統技術實驗室科研團隊開發的這個復合晶體管，長度僅為22納米。研究團隊近日在舊金山舉行的國際電子設備會議上介紹了該項研究成果。 麻省理工學院電氣工程和計算
高性能氮化鎵晶體管研制成功
據美國物理學家組織網9月22日（北京時間）報道，法國和瑞士科學家首次使用氮化鎵在（100）-硅（晶體取向為100）基座上，成功制造出了性能優異的高電子遷徙率晶體管（HEMTs）。此前，氮化鎵只能用于（111）-硅上，而目前廣泛使用的由硅制成的互補性金屬氧化半導體（CMOS）芯片一般
氧化鎵半導體器件領域研究取得重要進展
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2022/12/491041.shtm 科技日報合肥12月12日電 （記者吳長鋒）12日，記者從中國科學技術大學獲悉，日前在美國舊金山召開的第68屆國際電子器件大會（IEEE IEDM）上，中國科大國家示范性微電子學
氧化鎵半導體器件領域研究取得重要進展
12日，記者從中國科學技術大學獲悉，日前在美國舊金山召開的第68屆國際電子器件大會（IEEE IEDM）上，中國科大國家示范性微電子學院龍世兵教授課題組兩篇關于氧化鎵器件的研究論文（高功率氧化鎵肖特基二極管和氧化鎵光電探測器）被大會接收。 IEEE IEDM是一個年度微電子和納電子學術會議，是
氧化鎵和碳化硅功率芯片的技術差異
SiC（碳化硅）商業化已經20 多年了，GaN 商業化還不到5 年時間。因此人們對GaN 未來完整的市場布局并不是很清楚。SiC 的材料特性是能夠耐高壓、耐熱，但是缺點是頻率不能高，所以只能做到效率提升，不能做到器件很小。現在很多要做得很小，要控制成本。而GaN 擅長高頻，效率可以做得非常好。例如，
備受看好的氧化鎵材料是什么來頭？－（一）
日前，據日本媒體報道，日本經濟產業省（METI）計劃為致力于開發新一代低能耗半導體材料“氧化鎵”的私營企業和大學提供財政支持。報道指出，METI將為明年留出大約2030萬美元的資金去資助相關企業，預計未來5年的資助規模將超過8560萬美元。 ? 眾所周知，經歷了日美“廣場協定”的日本
備受看好的氧化鎵材料是什么來頭？－（二）
行業的領先廠商 ? 既然這個材料擁有這么領先的性能，自然在全球也有不少的公司投入其中。首先看日本方面，據半導體行業觀察了解，京都大學投資的Flosfia、NICT和田村制作所投資的Novel Crystal是最領先的Ga2O3供應商。 ? 相關資料顯示，Flosfia成立于20
科學家發明了一種隱形眼鏡，檢查身體是主要職能
多數人戴隱形眼鏡是為了美觀，你能想象，有一天為了健康而戴上隱形眼鏡嗎？美國俄勒岡州立大學的研究人員們，正在致力于這樣一項實驗，利用超薄晶體管技術，研發可以測量血糖、預測健康問題的隱形眼鏡。 俄勒岡州立大學教授 Gregory Herman 帶領的團隊，研發出了一款透明的生物傳感器，將該傳感器附
我國學者在非晶氧化鎵導熱領域取得進展
圖 非晶氧化鎵的密度、組分比及結構描述器SSF與熱導率之間的關系 在國家自然科學基金項目（批準號：51825601、U20A20301）資助下，清華大學曹炳陽教授團隊及合作者在非晶氧化鎵導熱領域取得進展。研究成果以“結合機器學習與實驗揭示非晶氧化鎵原子結構與熱輸運性質的相關性（Unraveling
微波功率晶體管相關介紹
微波功率晶體管可在微波頻率下可靠地輸出幾百毫瓦至幾十瓦的射頻功率。這就要求晶體管在微波頻率下具有良好的功率增益和效率。高頻率和大功率是矛盾的，故微波功率晶體管的設計須從器件結構、物理參數、電學性能和熱傳導等各方面綜合考慮。提高頻率、功率性能的主要途徑有:①提高發射極的“周長/面積比”，以提高單位
半導體變流器
導體變流器是使用半導體閥器件的一種電力電子變流器，使電源系統的電壓、頻率、相數和其他電量或特性發生變化的電器設備。 定義 使用半導體閥器件的一種電力電子變流器。 術語 ①類似術語也適用于由具體類型的半導體或其他電子閥件組成的變流器或具體類型的變流器。例如晶閘管變流器，汞弧整流器，晶體管
中國電科46所成功制備6英寸氧化鎵單晶
近日，中國電科46所成功制備出我國首顆6英寸氧化鎵單晶，達到國際最高水平。 氧化鎵是新型超寬禁帶半導體材料，擁有優異的物理化學特性，在微電子與光電子領域均擁有廣闊的應用前景。但因具有高熔點、高溫分解以及易開裂等特性，因此，大尺寸氧化鎵單晶制備極為困難。 中國電科46所氧化鎵團隊聚焦多晶面、大
美研制出新型“4維”晶體管
據物理學家組織網12月6日(北京時間)報道，美國普渡大學和哈佛大學的研究人員推出了一項極為應景的新發明：一種外形如同一顆圣誕樹一樣的新型晶體管，其重要組件“門”(柵極)的長度縮減到了突破性的20納米。這個被稱為“4維”晶體管的新事物預告了引領半導體工業和未來計算機領域發展的潮流。該研究成果將于1
認識晶體管
晶體管原理及應用晶體管全稱雙極型三極管（Bipolar junction transistor，BJT）又稱晶體三極管，簡稱三極管，是一種固體半導體器件，可用于檢波、整流、放大、開關、穩壓、信號調制等。晶體管作為一種可變開關．基于輸入的電壓，控制流出的電流，因此晶體管可用作電流的開關。和一般
碳納米晶體管性能首次超越硅晶體管
據美國威斯康星大學麥迪遜分校官網近日報道，該校材料學家成功研制的1英寸大小碳納米晶體管，首次在性能上超越硅晶體管和砷化鎵晶體管。這一突破是碳納米管發展的重大里程碑，將引領碳納米管在邏輯電路、高速無線通訊和其他半導體電子器件等技術領域大展宏圖。 碳納米管管壁只有一個原子厚，是最好的導電材料之一，
IIIV族納米線材料為新一代芯片賦予光學特性
IBM蘇黎世研究實驗室(IBM Research of Zurich)開發出一種尺寸極其微小的納米線，具有一般標準材料所沒有的光學特性，從而為開發出基于半導體納米線的“新一代晶體管”電路研究而鋪路。 該研究實驗室與挪威科技大學(Norwegian University of Science
鎵儲備不足－美國國防部決定從“廢品”中回收鎵
財聯社7月27日訊 美國國防部計劃在年底前首次與美國或加拿大公司簽訂有關回收鎵的合同，鎵是一種用于半導體和軍用雷達的礦物。 7月3日，中國商務部、海關總署宣布，為維護國家安全和利益，決定自2023年8月1日起對鎵和鍺兩種關鍵金屬實行出口管制。 本月早些時候，在被問及這兩種關鍵金屬的儲備情況時
原子尺度調節鎵鋅混合氮氧化物納米線能帶結構新研究
近日，中國科學院國家納米科學中心研究員宮建茹與南京航空航天大學教授宣益民、中科院高能物理研究所研究員張靜合作，在原子尺度調節 (Ga1-xZnx)(N1-xOx) 固溶體納米線能帶結構研究方面取得新進展，1月21日，相關研究成果以Atomic arrangement matters: band-
鎵是什么意思
鎵的意思是金屬元素，符號Ga（gallium）。鎵（Gallium）是灰藍色或銀白色的金屬，符號為Ga，原子量69.723。鎵熔點很低，但沸點很高，在空氣中易氧化，形成氧化膜，純液態鎵有顯著的過冷的趨勢，可由鋁土礦或閃鋅礦中提取，最后經電解制得純凈鎵，適合使用塑料瓶（不能盛滿）儲存。布瓦博得朗沒有意
EDTA絡合滴定法測定金鎵合金中的鎵
一、方法要點試樣用鹽酸和硝酸溶解，加鹽酸蒸發驅除硝酸，用亞硫酸還原金。加一定過量的EDTA溶液絡合鎵，在pH5．8的六亞甲基四胺緩沖溶液中，以二甲酸橙作指示劑，用鋅標準溶液返滴定以測定鎵量。本法適用于分析金鎵合金中3％～5％的鎵。二、試劑(1)氯化鈉、六亞甲基四胺。(2)二甲酚橙：0.2％溶液。(3
晶體管圖示儀
半導體管圖示儀是一種用示波管顯示半導體器件的各種特性曲線的儀器，并可測量低頻靜態參數。是從事半導體管研究制造及無線電領域工作者的一種必不可少的儀器。具有雙簇顯示功能特有場效應管配對和測試功能,5kV高壓測試臺。 技術參數： 集電極范圍 20uA/DIV～1A/DIV 分15檔，誤差不
固態電子器件的未來展望
固態電子器件的理論基礎是固體物理，技術基礎是材料科學。30年代固體電子論的進展和40～50年代鍺、硅材料工藝的進展，奠定了后半個世紀固態電子器件飛速發展的基礎。Ⅲ、Ⅴ族化合物半導體材料，尤其是砷化鎵材料工藝日趨成熟，新的固態電子器件隨著材料質量的提高和對材料物理的深入研究而不斷出現。在微波晶體管
國內第一！中國電科46所成功制備6英寸氧化鎵單晶
近日，中國電科46所成功制備出我國首顆6英寸氧化鎵單晶，達到國際最高水平。 氧化鎵是新型超寬禁帶半導體材料，擁有優異的物理化學特性，在微電子與光電子領域均擁有廣闊的應用前景。但因具有高熔點、高溫分解以及易開裂等特性，因此，大尺寸氧化鎵單晶制備極為困難。 中國電科46所氧化鎵團隊聚焦多晶面、
超寬禁帶半導體新進展－推動氧化鎵功率器件規模化應用
中國科學院上海微系統與信息技術研究所研究員歐欣課題組和西安電子科技大學郝躍課題組教授韓根全合作，在氧化鎵功率器件領域取得新進展。該研究成果于12月10日在第65屆國際微電子器件頂級會議——國際電子器件大會（International Electron Devices Meeting, IEDM）
什么是半導體材料？常見半導體材料有哪些？
半導體材料是什么？半導體材料（semiconductor material）是一類具有半導體性能（導電能力介于導體與絕緣體之間，電阻率約在1mΩ·cm～1GΩ·cm范圍內）、可用來制作半導體器件和集成電路的電子材料。自然界的物質、材料按導電能力大小可分為導體、半導體和絕緣體三大類。半導體的電阻率在1
氮化鎵的的化學特性
在室溫下，GaN不溶于水、酸和堿，而在熱的堿溶液中以非常緩慢的速度溶解。NaOH、H2SO4和H3PO4能較快地腐蝕質量差的GaN，可用于這些質量不高的GaN晶體的缺陷檢測。GaN在HCL或H2氣下，在高溫下呈現不穩定特性，而在N2氣下最為穩定。
氮化鎵的的光學特性
人們關注的GaN的特性，旨在它在藍光和紫光發射器件上的應用。Maruska和Tietjen首先精確地測量了GaN直接隙能量為3.39eV。幾個小組研究了GaN帶隙與溫度的依賴關系，Pankove等人估算了一個帶隙溫度系數的經驗公式：dE/dT=－6.0×10－4eV/k。 Monemar測定了基本的
砷化鎵的安全術語
S20/21：When using do not eat, drink or smoke.使用時，不得進食，飲水或吸煙。S28：After contact with skin, wash immediately with plenty of ... (to be specified by the m
氮化鎵的的化學特性
在室溫下，GaN不溶于水、酸和堿，而在熱的堿溶液中以非常緩慢的速度溶解。NaOH、H2SO4和H3PO4能較快地腐蝕質量差的GaN，可用于這些質量不高的GaN晶體的缺陷檢測。GaN在HCL或H2氣下，在高溫下呈現不穩定特性，而在N2氣下最為穩定。