超純砷化鎵電子態遵守量子力學法則
據美國每日科學網站7月27日報道，美國科學家成功制造出了超純的砷化鎵，并讓其呈現出某種特殊的狀態，在這種狀態下，電子不再遵守單粒子的物理學法則而被它們之間的相互作用（由量子力學法則來解釋）所掌控，這種超純材料和狀態都有望用于高速量子計算機的研究中。 量子計算機使用電子的量子力學行為來存儲和處理信息，與傳統計算機相比，其功能更強大、效率更高。這需要讓電子處于一種相互關聯的狀態中，一個電子上的變化立刻會由其他電子反應出來。如果科學家能控制這些過程，就能使用它來制造并行處理以執行經典計算機無法完成的計算。 美國普渡大學的物理學副教授邁克爾·芒弗拉指出，要想捕捉到顯微鏡內的電子并迫使它們僅僅相互作用，要求材料必須非常純凈，任何雜質都可能導致電子散射并破壞這個脆弱的關聯狀態。同時，科學家們也必須將電子冷卻到相當低的溫度并施加磁場來讓其達到這種關聯狀態。 芒弗拉領導的團隊設計和制造出了一個名為高流動性砷化......閱讀全文
最純砷化鎵半導體面世
美國普林斯頓大學研究人員在《自然·材料》雜志報告稱，他們研制出了世界上迄今最純凈的砷化鎵。該砷化鎵樣品的純度達到每100億個原子僅含有一個雜質，純度甚至超過了用于驗證一千克標準的世界上最純凈的硅樣品。 砷化鎵是一種半導體，主要用于為手機和衛星等提供電力。新研究得到的砷化鎵樣品呈正方形，邊長與一
超純砷化鎵電子態遵守量子力學法則
據美國每日科學網站7月27日報道，美國科學家成功制造出了超純的砷化鎵，并讓其呈現出某種特殊的狀態，在這種狀態下，電子不再遵守單粒子的物理學法則而被它們之間的相互作用（由量子力學法則來解釋）所掌控，這種超純材料和狀態都有望用于高速量子計算機的研究中。 量子計算機使用電子的量子力
挪威研制最新半導體新材料砷化鎵納米線
挪威科技大學的研究人員近日成功開發出一種新型半導體工業復合材料“砷化鎵納米線”，并申請了技術ZL，該復合材料基于石墨烯，具有優異的光電性能，在未來半導體產品市場上將極具競爭性，這種新材料被認作有望改變半導體工業新型設備系統的基礎。該項技術成果刊登在美國科學雜志納米快報上。 以Helge W
砷化鎵的結構特性
砷化鎵（gallium arsenide）是一種無機化合物，化學式為GaAs，為黑灰色固體，熔點1238℃。它在600℃以下能在空氣中穩定存在，并且不被非氧化性的酸侵蝕。
砷化鎵的安全術語
S20/21：When using do not eat, drink or smoke.使用時，不得進食，飲水或吸煙。S28：After contact with skin, wash immediately with plenty of ... (to be specified by the m
砷化鎵的毒理資料
GaAs的毒性沒有被很完整的研究。因為它含有As，經研究指出，As是劇毒的。但是，因為GaAs的晶體很穩定，所以如果身體吸收了少量的GaAs，其實是可以忽略的。當要做晶圓拋光制程（磨GaAs晶圓使表面微粒變小）時，表面的區域會和水起反應，釋放或分解出少許的As。
?砷化鎵生產方式介紹
GaAs屬于III-V族化合物半導體材料，其能隙為1.4eV，正好為高吸收率太陽光的值，與太陽光譜的匹配較適合，且能耐高溫，在250℃的條件下，光電轉換性能仍很良好，其最高光電轉換效率約30%，特別適合做高溫聚光太陽電池。砷化鎵生產方式和傳統的硅晶圓生產方式大不相同，砷化鎵需要采用磊晶技術制造，這種
砷化鎵材料的材料特性
GaAs擁有一些較Si還要好的電子特性，使得GaAs可以用在高于250 GHz的場合。如果等效的GaAs和Si元件同時都操作在高頻時，GaAs會產生較少的噪音。也因為GaAs有較高的崩潰壓，所以GaAs比同樣的Si元件更適合操作在高功率的場合。因為這些特性，GaAs電路可以運用在移動電話、衛星通訊、
砷化鎵的理化性質
密度：5.31g/cm3熔點：1238℃折射率：3.57相對介電常數：13.18電子親和能：4.07 eV晶格能：5.65×10-10m禁帶寬度：1.424e（300K）電子遷移率：8500 cm2/(V·s) （300 K）外觀：黑灰色固體
半導體所在砷化鎵/鍺中拓撲相研究方面獲重要發現
中國科學院半導體研究所常凱研究組提出利用表面極化電荷在傳統常見半導體材料GaAs/Ge中實現拓撲絕緣體相。通過第一性原理計算和多帶k.p理論成功地證明了GaAs/Ge極化電荷誘導的拓撲絕緣體相，這為拓撲絕緣體的器件應用又向前推進了一步。 拓撲絕緣體是目前凝聚態物理的前沿熱點問題之一。它具有
新型半導體工業復合材料“砷化鎵納米線”獲得技術ZL
近日挪威科技大學的研究人員成功開發出一種新型半導體工業復合材料“砷化鎵納米線”，并申請了技術ZL，該復合材料基于石墨烯，具有優異的光電性能，在未來半導體產品市場上將極具競爭性，這種新材料被認作有望改變半導體工業新型設備系統的基礎。該項技術成果刊登在美國科學雜志納米快報上。 以Helge
“重利用”開啟砷化鎵新時代
斯坦福大學的研究人員發明了一種可以大大降低生產砷化鎵電子設備成本的制造工藝，開辟了砷化鎵的新用途。 在電腦芯片、太陽能電池以及其它的電子設備中，半導體一直都是傳統的硅材料；硅制成的特殊材料擁有獨特的電性能-----可以控制（打開或關閉）電流，就像水龍頭控制水流一樣。當然，還
砷化鎵材料的研究進展
砷化鎵于1964年進入實用階段。砷化鎵可以制成電阻率比硅、鍺高3個數量級以上的半絕緣高阻材料，用來制作集成電路襯底、紅外探測器、γ光子探測器等。由于其電子遷移率比硅大5～6倍，故在制作微波器件和高速數字電路方面得到重要應用。用砷化鎵制成的半導體器件具有高頻、高溫、低溫性能好、噪聲小、抗輻射能力強等優
工業化砷化鎵的生產工藝介紹
工業化砷化鎵生長工藝包括：直拉法（Cz法）、水平布里其曼法（HB）、垂直布里其曼法（VB法）以及垂直梯度凝固法（VGF法）等。以上方法各有優劣，除了實際工藝制備的方法，另外一種就是通過計算機來實現砷化鎵的晶體生長數值模擬，如利用FEMAG/VB能模擬VB、VGF法生長工藝，利用FEMAG/Cz能模擬
什么是砷化鎵太陽能電池？
單晶硅是制造太陽能電池的理想材料，但是由于其制取工藝相對復雜，耗能大，仍然需要其他更加廉價的材料來取代。為了尋找單晶硅電池的替代品，人們除開發了多晶硅，非晶硅薄膜太陽能電池外，又不斷研制其它材料的太陽能電池。其中主要包括砷化鎵III-V族化合物，硫化鎘，碲化鎘及銅錮硒薄膜電池等。
砷化鎵太陽能電池性能詳解
砷化鎵太陽能電池 GaAs屬于III-V族化合物半導體材料，其能隙為1.4eV，正好為高吸收率太陽光的值，與太陽光譜的匹配較適合，且能耐高溫，在250℃的條件下，光電轉換性能仍很良好，其最高光電轉換效率約30%，特別適合做高溫聚光太陽電池。 砷化鎵生產方式和傳統的硅晶圓生產方式大不相同，砷化鎵需
美開發出迄今最小砷化銦鎵晶體管
硅半導體作為微芯片之王的日子已經屈指可數了，據物理學家組織網近日報道，美國麻省理工學院科學家開發出了有史以來最小的砷化銦鎵晶體管。該校微系統技術實驗室科研團隊開發的這個復合晶體管，長度僅為22納米。研究團隊近日在舊金山舉行的國際電子設備會議上介紹了該項研究成果。 麻省理工學院電氣工程和計算
砷化鎵太陽能電池有望打破能效記錄
據美國物理學家組織網11月8日（北京時間）報道，美國科學家通過與傳統科學研究相反的新思路，用砷化鎵制造出了最高轉化效率達28.4%的薄膜太陽能電池。該太陽能電池效率提升的關鍵并非是讓其吸收更多光子而是讓其釋放出更多光子，未來用砷化鎵制造的太陽能電池有望突破能效轉化記錄的極限。
實測半導體砷化硼，理論預言“穩了”
7月22日，國家納米科學中心（以下簡稱納米中心）研究員劉新風研究團隊在《科學》上發表論文，首次在半導體砷化硼中檢測到其電子空穴約化遷移率約 1550 cm2/Vs, 這一測量結果與理論預測值的1680 cm2/Vs 非常接近，有望為半導體砷化硼在集成電路領域的應用提供重要基礎數據指導。利用瞬態反射顯
國電光伏砷化鎵電池通過德國Fraunhofer－ISE檢測機構認證
日前，國電光伏科技宣布，公司柔性薄膜砷化鎵電池順利通過德國Fraunhofer ISE檢測機構(世界三大權威檢測機構之一)認證。 經檢測，國電光伏柔性薄膜砷化鎵電池轉換效率達到34.5%(AM1.5G)，是目前世界上已報道的效率最高的柔性薄膜太陽能電池。 據了解，通過國電光伏自主研發的獨特工
科學家研發出砷化鎵晶片批量生產技術
新一期英國《自然》雜志報告說，美國研究人員研發出一種可批量生產砷化鎵晶片的技術，克服了成本上的瓶頸，從而使砷化鎵這種感光性能比硅更優良的材料有望大規模用于半導體和太陽能相關產業。 據介紹，砷化鎵是一種感光性能比當前廣泛使用的硅更優良的材料，理論上它可將接收到的陽光的40%轉
砷化鎵pn結注入式激光器的功能介紹
中文名稱砷化鎵p-n結注入式激光器英文名稱gallium arsenide p-n junction injection laser定 義以砷化鎵材料構成p-n結，以晶體解理面構成諧振腔，當p-n結中注入大電流，便以平行于結面的方向射出激光的激光器。應用學科機械工程（一級學科），光學儀器（二級學科
砷化鎵pn結注入式激光器的結構功能
中文名稱砷化鎵p-n結注入式激光器英文名稱gallium arsenide p-n junction injection laser定 義以砷化鎵材料構成p-n結，以晶體解理面構成諧振腔，當p-n結中注入大電流，便以平行于結面的方向射出激光的激光器。應用學科機械工程（一級學科），光學儀器（二級學科
銻化鎵的應用
銻化鎵（GalliumAntimonite,GaSb）是III-V族化合物半導體，屬于閃鋅礦、直接帶隙材料，其禁帶寬度為0.725eV（300K），晶格常數為0.60959nm。GaSbChemicalbook具有優異的物理化學性能，常被用做襯底材料，應用于8~14mm及大于14mm的紅外探測器和激
氮化鎵半導體材料的應用前景
對于GaN材料，長期以來由于襯底單晶沒有解決，異質外延缺陷密度相當高，但是器件水平已可實用化。1994年日亞化學所制成1200mcd的 LED，1995年又制成Zcd藍光（450nmLED），綠光12cd(520nmLED);日本1998年制定一個采用寬禁帶氮化物材料開發LED的 7年規劃，其目標是
蘇州納米所基于高效砷化鎵電池的聚光光伏發電系統獲進展
基于高效砷化鎵電池的聚光型光伏發電系統是未來光伏領域的重要發展方向，具有穩定、高效、低成本等諸多優越性。太陽能光伏發電廠有明顯的節能減排效果，同時大大減小了土地使用面積，發電系統所覆蓋的土地也可以間歇性的受到光照，不影響當地植被的生存，具有就近就地分散發供電，進入和退出電網靈活的
半導體砷化硼有望應用到集成電路領域
7月22日，國家納米科學中心（以下簡稱納米中心）研究員劉新風研究團隊在《科學》上發表論文，首次在半導體砷化硼中檢測到其電子空穴約化遷移率約 1550 cm2/Vs, 這一測量結果與理論預測值的1680 cm2/Vs 非常接近，有望為半導體砷化硼在集成電路領域的應用提供重要基礎數據指導。利用瞬態反射顯
科學家首次實驗發現類似引力子的粒子
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2024/3/519926.shtm幾十年來，物理學家一直在尋找引力子，即一種被認為攜帶引力的假想粒子。這些粒子從未在太空中被探測到，但現在，科學家在半導體中發現了類似引力子的粒子。利用它來理解引力子的行為，可能有助于將
美制成兼具電學光學性質的光子晶體
據美國物理學家組織網7月24日報道，美國科學家研發出了一種新方法，改變了半導體的三維結構，使其在保持電學特性的同時擁有了新的光學性質，并據此研制出了首塊光學電學性能都很活躍的新型光子晶體，為以后研制出新式太陽能電池、激光器、超材料等打開了大門。研究發表在最新一期《自然·材料學》雜志上。 光子晶
氮化鎵半導體材料的優點與缺陷
①禁帶寬度大（3.4eV），熱導率高（1.3W/cm-K），則工作溫度高，擊穿電壓高，抗輻射能力強；②導帶底在Γ點，而且與導帶的其他能谷之間能量差大，則不易產生谷間散射，從而能得到很高的強場漂移速度（電子漂移速度不易飽和）；③GaN易與AlN、InN等構成混晶，能制成各種異質結構，已經得到了低溫下遷