半導體砷化硼有望應用到集成電路領域
7月22日，國家納米科學中心（以下簡稱納米中心）研究員劉新風研究團隊在《科學》上發表論文，首次在半導體砷化硼中檢測到其電子空穴約化遷移率約 1550 cm2/Vs, 這一測量結果與理論預測值的1680 cm2/Vs 非常接近，有望為半導體砷化硼在集成電路領域的應用提供重要基礎數據指導。利用瞬態反射顯微成像測試砷化硼的載流子遷移率示意圖絕佳材料 一票否決？手機、電腦等電子產品用久了會發燙，是許多人熟悉的體會。隨著芯片集成規模不斷增大，散熱問題成為一個大困擾。科學家把出現這一現象的原因歸結為用來制作芯片的半導體材料硅150W/mK的熱導率不夠高，熱導率越高則散熱越快。為此，材料學家一直期待能夠找一種具有更高熱導率的材料。然而，遺憾的是，如果用銅的熱導率400W/mK作為一個標準，具有更高熱導率的半導體材料只有氧化石墨烯、碳化硅等寥寥幾種。“氧化石墨烯因為層狀結構的限制，其熱導性質很難應用。碳化硅是三維半導體，現在已經廣泛應用，但熱導......閱讀全文
實測半導體砷化硼，理論預言“穩了”
7月22日，國家納米科學中心（以下簡稱納米中心）研究員劉新風研究團隊在《科學》上發表論文，首次在半導體砷化硼中檢測到其電子空穴約化遷移率約 1550 cm2/Vs, 這一測量結果與理論預測值的1680 cm2/Vs 非常接近，有望為半導體砷化硼在集成電路領域的應用提供重要基礎數據指導。利用瞬態反射顯
半導體砷化硼有望應用到集成電路領域
7月22日，國家納米科學中心（以下簡稱納米中心）研究員劉新風研究團隊在《科學》上發表論文，首次在半導體砷化硼中檢測到其電子空穴約化遷移率約 1550 cm2/Vs, 這一測量結果與理論預測值的1680 cm2/Vs 非常接近，有望為半導體砷化硼在集成電路領域的應用提供重要基礎數據指導。利用瞬態反射顯
立方砷化硼有潛力成為比硅更優良的半導體材料
新華社北京7月26日電（記者喬本孝）科研人員日前發表在學術期刊《科學》的新研究顯示，一種名為立方砷化硼的材料在實驗室展現出比硅更好的導熱性和更高的雙極性遷移率，有潛力成為比硅更優良的半導體材料。硅是目前應用最廣泛的半導體材料，然而硅作為半導體有兩項不足。第一，硅不太善于傳導熱量，導致芯片溫度總是過熱
新研究：立方砷化硼有潛力成為比硅更優良的半導體材料
新華社北京7月26日電（記者喬本孝）科研人員日前發表在學術期刊《科學》的新研究顯示，一種名為立方砷化硼的材料在實驗室展現出比硅更好的導熱性和更高的雙極性遷移率，有潛力成為比硅更優良的半導體材料。? 硅是目前應用最廣泛的半導體材料，然而硅作為半導體有兩項不足。第一，硅不太善于傳導熱量，導致芯片溫度總
科學家發現一種比硅更優的半導體材料——立方砷化硼
科研人員日前發表在學術期刊《科學》的新研究顯示，一種名為立方砷化硼的材料在實驗室展現出比硅更好的導熱性和更高的雙極性遷移率，有潛力成為比硅更優良的半導體材料。 硅是目前應用最廣泛的半導體材料，然而硅作為半導體有兩項不足。第一，硅不太善于傳導熱量，導致芯片溫度總是過熱，散熱問題已經成為制約芯片性能的
劉新風等測定超高熱導率半導體砷化硼的載流子遷移率
中國科學院國家納米科學中心研究員劉新風團隊聯合美國休斯頓大學包吉明團隊、任志鋒團隊，在超高熱導率半導體-立方砷化硼（c-BAs）單晶的載流子擴散動力學研究方面取得進展，為其在集成電路領域的應用提供重要的基礎數據指導和幫助。相關研究成果發表在《科學》（Science）上。 隨著芯片集成規模的進一
大連化物所實現半導體光催化硼化反應
近日，中國科學院大連化學物理研究所精細化工研究室有機硼化學與綠色氧化創新特區研究組研究員戴文團隊，在多相光催化硼化方面取得新進展。該團隊選用易于制備的硫化鎘納米片作為多相光催化劑，利用光生電子—空穴的協同氧化還原作用，通過選擇性硼化反應，實現了烯烴、炔烴、亞胺以及芳（雜）環的高值轉化，合成了硼氫化和
最純砷化鎵半導體面世
美國普林斯頓大學研究人員在《自然·材料》雜志報告稱，他們研制出了世界上迄今最純凈的砷化鎵。該砷化鎵樣品的純度達到每100億個原子僅含有一個雜質，純度甚至超過了用于驗證一千克標準的世界上最純凈的硅樣品。 砷化鎵是一種半導體，主要用于為手機和衛星等提供電力。新研究得到的砷化鎵樣品呈正方形，邊長與一
挪威研制最新半導體新材料砷化鎵納米線
挪威科技大學的研究人員近日成功開發出一種新型半導體工業復合材料“砷化鎵納米線”，并申請了技術ZL，該復合材料基于石墨烯，具有優異的光電性能，在未來半導體產品市場上將極具競爭性，這種新材料被認作有望改變半導體工業新型設備系統的基礎。該項技術成果刊登在美國科學雜志納米快報上。 以Helge W
大連化物所戴文團隊研究實現半導體光催化硼化反應
氮雜環卡賓硼烷（NHC-BH3）由于化學性質穩定且制備方法簡單，近年來作為一種新型硼源，被應用于自由基硼化反應中。然而，大量有害的自由基引發劑和昂貴且無法回收的均相光催化劑的使用，阻礙了其廣泛被應用。因此，發展一種通用、廉價且可循環的催化體系，對NHC-BH3參與的自由基硼化反應的發展具有重要意
金屬Zr催化的烯烴脫氫硼化和轉移硼化反應研究獲進展
烯基硼酸酯(VBE)是合成化學中的一類重要中間體，在合成具有生物活性的天然產物方面應用廣泛。目前已知的該類化合物的制備方法存在底物來源受限和官能團兼容性差等不足之處。相對而言，從廉價易得的烯烴和硼烷的直接脫氫硼化是制備VBE的一種極具吸引力的方法。在Rh、Ir、Pd、Ni、Co、和Fe等后過渡金
新型半導體工業復合材料“砷化鎵納米線”獲得技術ZL
近日挪威科技大學的研究人員成功開發出一種新型半導體工業復合材料“砷化鎵納米線”，并申請了技術ZL，該復合材料基于石墨烯，具有優異的光電性能，在未來半導體產品市場上將極具競爭性，這種新材料被認作有望改變半導體工業新型設備系統的基礎。該項技術成果刊登在美國科學雜志納米快報上。 以Helge
半導體所在砷化鎵/鍺中拓撲相研究方面獲重要發現
中國科學院半導體研究所常凱研究組提出利用表面極化電荷在傳統常見半導體材料GaAs/Ge中實現拓撲絕緣體相。通過第一性原理計算和多帶k.p理論成功地證明了GaAs/Ge極化電荷誘導的拓撲絕緣體相，這為拓撲絕緣體的器件應用又向前推進了一步。 拓撲絕緣體是目前凝聚態物理的前沿熱點問題之一。它具有
三溴化硼泄露怎么處理
迅速撤離泄漏污染區人員至安全區，并立即隔離150m，嚴格限制出入。建議應急處理人員戴自給正壓式呼吸器，穿防酸堿工作服。不要直接接觸泄漏物。盡可能切斷泄漏源。小量泄漏：用砂土或其它不燃材料吸附或吸收。也可以將地面灑上蘇打灰，然后用大量水沖洗，洗水稀釋后放入廢水系統。大量泄漏：構筑圍堤或挖坑收容。用泵轉
三溴化硼的取用方法
安瓿熔封陰涼干燥保存。密閉包裝，避光保存，切勿受潮。與堿類、醇類分儲，不宜久貯。誤食，用水漱口，飲牛奶或蛋清。第一部分：化學品名稱 回目錄化學品中文名稱： 三溴化硼化學品英文名稱： boron tribromide中文名稱2： 溴化硼英文名稱2： boron bromide技術說明書編碼： 975C
選擇性硼氫鍵活化的銥催化碳硼烷硼基化反應研究獲進展
碳硼烷是由兩個CH 和十個BH 頂點組成的籠狀分子，被視為苯的三維類似物，具有超芳香性及很好的化學和熱穩定性，在生物醫藥、超分子材料等領域有著重要的用途。例如，利用其單位分子內的高硼含量作為硼中子俘獲療法（BNCT）試劑，利用其高熱穩定性用于耐熱硅硼橡膠聚合物；其它用途還包括超分子材料、分子機器
半導體芯片推拉力測試設備
力標精密設備(深圳)有限公司，是一家研發、生產、銷售為一體的多功能推拉力測試機生產廠家，產品主要應用于:微電子行業、半導體封裝、LED封裝、攝像頭模組、功率模塊、光通訊等封裝行業的精密檢測，公司堅持自主創新不斷優化產品核心技術，我們擁有專門的研發團隊，可根據不同客戶的需求提供訂制化精密測量儀器，滿足
砷化鎵的安全術語
S20/21：When using do not eat, drink or smoke.使用時，不得進食，飲水或吸煙。S28：After contact with skin, wash immediately with plenty of ... (to be specified by the m
砷化鎵的結構特性
砷化鎵（gallium arsenide）是一種無機化合物，化學式為GaAs，為黑灰色固體，熔點1238℃。它在600℃以下能在空氣中穩定存在，并且不被非氧化性的酸侵蝕。
砷化鎵的毒理資料
GaAs的毒性沒有被很完整的研究。因為它含有As，經研究指出，As是劇毒的。但是，因為GaAs的晶體很穩定，所以如果身體吸收了少量的GaAs，其實是可以忽略的。當要做晶圓拋光制程（磨GaAs晶圓使表面微粒變小）時，表面的區域會和水起反應，釋放或分解出少許的As。
芯片革命:2024北京芯片及半導體產業展覽會
2024中國（北京）國際半導體展覽會時 間：2024 年 9 月 5 一 7 日地 點：中國·北京 · 北人亦創國際會展中心參展咨詢：021-5416 3212大會負責人：李經理 136 5198 3978（同微）地點：北京 · 北人亦創國際會展中心2024中國（北京）國際半導體博覽會”將于2024
2024上海半導體展|上海國際半導體展|2024半導體芯片展
展會名稱：2024中國（上海）國際半導體展覽會英文名稱：China (shanghai) int'l Circuit board & Electronic assembly Show 2024展會時間：2024年11月18-20日?論壇時間：2024年11月18-19日?展會地點：上海新國際