銻化鎵的基本信息
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銻化鎵的應用
銻化鎵（GalliumAntimonite,GaSb）是III-V族化合物半導體，屬于閃鋅礦、直接帶隙材料，其禁帶寬度為0.725eV（300K），晶格常數為0.60959nm。GaSbChemicalbook具有優異的物理化學性能，常被用做襯底材料，應用于8~14mm及大于14mm的紅外探測器和激
銻化鎵的生產方法
把20g鎵、34.94g銻放進石墨盤中，裝入石英管內，并用氫氣流充分置換掉空氣之后，然后在氫氣流中加熱石英管至720～730℃使其化合。為了制得GaSb單晶，可Chemicalbook以從石英管中慢慢取出，使熔融狀態的GaSb從盤的一端開始固化形成結晶。如欲制成半導體用GaSb時，所用原料盤及石英管
砷化鎵的結構特性
砷化鎵（gallium arsenide）是一種無機化合物，化學式為GaAs，為黑灰色固體，熔點1238℃。它在600℃以下能在空氣中穩定存在，并且不被非氧化性的酸侵蝕。
砷化鎵的安全術語
S20/21：When using do not eat, drink or smoke.使用時，不得進食，飲水或吸煙。S28：After contact with skin, wash immediately with plenty of ... (to be specified by the m
砷化鎵的毒理資料
GaAs的毒性沒有被很完整的研究。因為它含有As，經研究指出，As是劇毒的。但是，因為GaAs的晶體很穩定，所以如果身體吸收了少量的GaAs，其實是可以忽略的。當要做晶圓拋光制程（磨GaAs晶圓使表面微粒變小）時，表面的區域會和水起反應，釋放或分解出少許的As。
硒化銻的制備方法
制備方法稱取反應原料2mmolSb、3mmolSe和助熔劑10mmolCsCl，混合后獲得前驅體，對前驅體進行充分研磨，使其混合均勻；將混合后的樣品裝入石英瓶中，利用真空泵機組抽真空達到10～102Pa（也可以用惰性氣體保護），從而排除空氣對熔鹽反應的影響，用氫氧焰將石英瓶封口；將密封Chemica
?砷化鎵生產方式介紹
GaAs屬于III-V族化合物半導體材料，其能隙為1.4eV，正好為高吸收率太陽光的值，與太陽光譜的匹配較適合，且能耐高溫，在250℃的條件下，光電轉換性能仍很良好，其最高光電轉換效率約30%，特別適合做高溫聚光太陽電池。砷化鎵生產方式和傳統的硅晶圓生產方式大不相同，砷化鎵需要采用磊晶技術制造，這種
砷化鎵的理化性質
密度：5.31g/cm3熔點：1238℃折射率：3.57相對介電常數：13.18電子親和能：4.07 eV晶格能：5.65×10-10m禁帶寬度：1.424e（300K）電子遷移率：8500 cm2/(V·s) （300 K）外觀：黑灰色固體
砷化鎵材料的材料特性
GaAs擁有一些較Si還要好的電子特性，使得GaAs可以用在高于250 GHz的場合。如果等效的GaAs和Si元件同時都操作在高頻時，GaAs會產生較少的噪音。也因為GaAs有較高的崩潰壓，所以GaAs比同樣的Si元件更適合操作在高功率的場合。因為這些特性，GaAs電路可以運用在移動電話、衛星通訊、