銻化鎵的基本信息
......閱讀全文
銻化鎵的應用
銻化鎵(GalliumAntimonite,GaSb)是III-V族化合物半導體,屬于閃鋅礦、直接帶隙材料,其禁帶寬度為0.725eV(300K),晶格常數為0.60959nm。GaSbChemicalbook具有優異的物理化學性能,常被用做襯底材料,應用于8~14mm及大于14mm的紅外探測器和激
銻化鎵的生產方法
把20g鎵、34.94g銻放進石墨盤中,裝入石英管內,并用氫氣流充分置換掉空氣之后,然后在氫氣流中加熱石英管至720~730℃使其化合。為了制得GaSb單晶,可Chemicalbook以從石英管中慢慢取出,使熔融狀態的GaSb從盤的一端開始固化形成結晶。如欲制成半導體用GaSb時,所用原料盤及石英管
砷化鎵的結構特性
砷化鎵(gallium arsenide)是一種無機化合物,化學式為GaAs,為黑灰色固體,熔點1238℃。它在600℃以下能在空氣中穩定存在,并且不被非氧化性的酸侵蝕。
砷化鎵的安全術語
S20/21:When using do not eat, drink or smoke.使用時,不得進食,飲水或吸煙。S28:After contact with skin, wash immediately with plenty of ... (to be specified by the m
砷化鎵的毒理資料
GaAs的毒性沒有被很完整的研究。因為它含有As,經研究指出,As是劇毒的。但是,因為GaAs的晶體很穩定,所以如果身體吸收了少量的GaAs,其實是可以忽略的。當要做晶圓拋光制程(磨GaAs晶圓使表面微粒變小)時,表面的區域會和水起反應,釋放或分解出少許的As。
硒化銻的制備方法
制備方法稱取反應原料2mmolSb、3mmolSe和助熔劑10mmolCsCl,混合后獲得前驅體,對前驅體進行充分研磨,使其混合均勻;將混合后的樣品裝入石英瓶中,利用真空泵機組抽真空達到10~102Pa(也可以用惰性氣體保護),從而排除空氣對熔鹽反應的影響,用氫氧焰將石英瓶封口;將密封Chemica
?砷化鎵生產方式介紹
GaAs屬于III-V族化合物半導體材料,其能隙為1.4eV,正好為高吸收率太陽光的值,與太陽光譜的匹配較適合,且能耐高溫,在250℃的條件下,光電轉換性能仍很良好,其最高光電轉換效率約30%,特別適合做高溫聚光太陽電池。砷化鎵生產方式和傳統的硅晶圓生產方式大不相同,砷化鎵需要采用磊晶技術制造,這種
砷化鎵的理化性質
密度:5.31g/cm3熔點:1238℃折射率:3.57相對介電常數:13.18電子親和能:4.07 eV晶格能:5.65×10-10m禁帶寬度:1.424e(300K)電子遷移率:8500 cm2/(V·s) (300 K)外觀:黑灰色固體
砷化鎵材料的材料特性
GaAs擁有一些較Si還要好的電子特性,使得GaAs可以用在高于250 GHz的場合。如果等效的GaAs和Si元件同時都操作在高頻時,GaAs會產生較少的噪音。也因為GaAs有較高的崩潰壓,所以GaAs比同樣的Si元件更適合操作在高功率的場合。因為這些特性,GaAs電路可以運用在移動電話、衛星通訊、