國自然發布“集成電路關鍵材料前沿探索”項目指南
近日,國家自然科學基金委員會發布2023年度國家自然科學基金指南引導類原創探索計劃項目——“集成電路關鍵材料前沿探索”項目指南。 為貫徹落實黨中央、國務院關于加強基礎研究和提升原始創新能力的重要戰略部署,國家自然科學基金委員會(以下簡稱自然科學基金委)工程與材料科學部擬資助“集成電路關鍵材料前沿探索”原創探索計劃項目(以下簡稱原創項目)。集成電路材料是集成電路產業發展的基石,因此自主研發集成電路用關鍵材料尤為重要。本項目通過材料、化學、物理和信息等多學科的深度交叉融合,針對集成電路制造過程中涉及到的關鍵金屬材料、無機非金屬材料及有機高分子材料,探索材料制備與應用的新原理、新方法與新技術,推動原始創新,為突破集成電路材料領域的“卡脖子”難題提供基礎支撐,服務國家重大戰略需求,引領國際科技前沿。 一、科學目標 本項目面向集成電路用關鍵材料,具體科學目標如下:(1)聚焦光刻膠、柔性集成電路載板等高分子材料的結構設計、固化機制......閱讀全文
什么是半導體材料?常見半導體材料有哪些?
半導體材料是什么?半導體材料(semiconductor material)是一類具有半導體性能(導電能力介于導體與絕緣體之間,電阻率約在1mΩ·cm~1GΩ·cm范圍內)、可用來制作半導體器件和集成電路的電子材料。自然界的物質、材料按導電能力大小可分為導體、半導體和絕緣體三大類。半導體的電阻率在1
半導體/絕緣高分子復合材料研究取得重大突破
中國科學院長春應用化學研究所楊小牛研究員課題組在半導體/絕緣體高分子復合材料研究取得突破,其研究結果被國際著名期刊《先進功能材料》(Advanced Functional Materials 2010, 20, 1714)以“卷首插畫”的形式予以重點報道。 在人們的傳統觀念
化合物半導體材料的材料優勢
化合物半導體集成電路的主要特征是超高速、低功耗、多功能、抗輻射。以GaAs為例,通過比較可得:1.化合物半導體材料具有很高的電子遷移率和電子漂移速度,因此,可以做到更高的工作頻率和更快的工作速度。2.肖特基勢壘特性優越,容易實現良好的柵控特性的MES結構。3.本征電阻率高,為半絕緣襯底。電路工藝中便
半導體材料的概念
半導體材料(semiconductor material)是一類具有半導體性能(導電能力介于導體與絕緣體之間,電阻率約在1mΩ·cm~1GΩ·cm范圍內)、可用來制作半導體器件和集成電路的電子材料。
半導體材料的定義
半導體材料(semiconductor material)是一類具有半導體性能(導電能力介于導體與絕緣體之間,電阻率約在1mΩ·cm~1GΩ·cm范圍內)、可用來制作半導體器件和集成電路的電子材料。
什么是半導體材料?
半導體材料(semiconductormaterial)是導電能力介于導體與絕緣體之間的物質。半導體材料是一類具有半導體性能、可用來制作半導體器件和集成電的電子材料,其電導率在10(U-3)~10(U-9)歐姆/厘米范圍內。
半導體熱電材料
? 半導體熱電材料(英文名:semiconductor thermoelectric material)指具有較大熱電效應的半導體材料,亦稱溫差電材料。它能直接把熱能轉換成電能,或直接由電能產生致冷作用。? ? 1821年,德國塞貝克(see—beck)在金屬中發現溫差電效應,僅在測量溫度的溫差電偶
半導體材料的特性
半導體材料的特性:半導體材料是室溫下導電性介于導電材料和絕緣材料之間的一類功能材料。靠電子和空穴兩種載流子實現導電,室溫時電阻率一般在10-5~107歐·米之間。通常電阻率隨溫度升高而增大;若摻入活性雜質或用光、射線輻照,可使其電阻率有幾個數量級的變化。此外,半導體材料的導電性對外界條件(如熱、光、
我國半導體/絕緣高分子復合材料研究取得重大突破
日前,中科院長春應用化學研究所楊小牛研究員課題組在半導體/絕緣體高分子復合材料研究取得重大突破,其研究結果被國際著名期刊《先進功能材料》(Advanced Functional Materials)以“封面論文”的形式給予重點報道。 在傳統觀念中,絕緣體會阻礙電荷傳輸,因此一般來講,
打破壟斷-上下游協同推進-國產光刻膠謀出路
近日,光刻膠產能緊缺的新聞見諸報端。上游芯片材料供應緊張引發全球“缺芯”,使得核心材料光刻膠靠“搶”才能獲得。這種情況對于光刻膠對外依存度高達90%的我國來說,無疑是雪上加霜。 “我國長期依賴國外膠的參數和工藝,不愿或沒有條件調整工藝使用國產膠,這是當下最大的問題。”浙江大學高分子科學與工程
一文讀懂半導體制程技術進步的“燃料”——光刻膠
一文讀懂半導體制程技術進步的“燃料”——光刻膠 光刻膠又稱光致抗蝕劑,是一種對光敏感的混合液體。其組成部分包括:光引發劑(包括光增感劑、光致產酸劑)、光刻膠樹脂、單體、溶劑和其他助劑。光刻膠可以通過光化學反應,經曝光、顯影等光刻工序將所需要的微細圖形從光罩(掩模版)轉移到待加工基片上。依據
什么是高分子材料
高分子材料是由相對分子質量較高的化合物構成的材料。我們接觸的很多天然材料通常是高分子材料組成的,如天然橡膠、棉花、人體器官等。人工合成的化學纖維、塑料和橡膠等也是如此。一般稱在生活中大量采用的,已經形成工業化生產規模的高分子為通用高分子材料,稱具有特殊用途與功能的為功能高分子。
半導體材料的基本特性
自然界的物質、材料按導電能力大小可分為導體、半導體和絕緣體三大類。半導體的電阻率在1mΩ·cm~1GΩ·cm范圍(上限按謝嘉奎《電子線路》取值,還有取其1/10或10倍的;因角標不可用,暫用當前描述)。在一般情況下,半導體電導率隨溫度的升高而降低。
半導體材料的基本特性
自然界的物質、材料按導電能力大小可分為導體、半導體和絕緣體三大類。半導體的電阻率在1mΩ·cm~1GΩ·cm范圍(上限按謝嘉奎《電子線路》取值,還有取其1/10或10倍的;因角標不可用,暫用當前描述)。在一般情況下,半導體電導率隨溫度的升高而降低。
半導體材料的應用介紹
制備不同的半導體器件對半導體材料有不同的形態要求,包括單晶的切片、磨片、拋光片、薄膜等。半導體材料的不同形態要求對應不同的加工工藝。常用的半導體材料制備工藝有提純、單晶的制備和薄膜外延生長。所有的半導體材料都需要對原料進行提純,要求的純度在6個“9”以上,最高達11個“9”以上。提純的方法分兩大類,
半導體材料的早期應用
半導體的第一個應用就是利用它的整流效應作為檢波器,就是點接觸二極管(也俗稱貓胡子檢波器,即將一個金屬探針接觸在一塊半導體上以檢測電磁波)。除了檢波器之外,在早期,半導體還用來做整流器、光伏電池、紅外探測器等,半導體的四個效應都用到了。從1907年到1927年,美國的物理學家研制成功晶體整流器、硒整流
半導體材料的特性參數
半導體材料雖然種類繁多但有一些固有的特性,稱為半導體材料的特性參數。這些特性參數不僅能反映半導體材料與其他非半導體材料之間的差別,而且更重要的是能反映各種半導體材料之間甚至同一種材料在不同情況下特性上的量的差別。常用的半導體材料的特性參數有:禁帶寬度、電阻率、載流子遷移率(載流子即半導體中參加導電的
常見的半導體材料介紹
常見的半導體材料有硅、鍺、砷化鎵等,硅是各種半導體材料應用中最具有影響力的一種。
半導體材料的早期應用
半導體的第一個應用就是利用它的整流效應作為檢波器,就是點接觸二極管(也俗稱貓胡子檢波器,即將一個金屬探針接觸在一塊半導體上以檢測電磁波)。除了檢波器之外,在早期,半導體還用來做整流器、光伏電池、紅外探測器等,半導體的四個效應都用到了。從1907年到1927年,美國的物理學家研制成功晶體整流器、硒整流
半導體材料的提純方法
提純方法可分化學法和物理法。化學提純是把材料制成某種中間化合物以便系統地除去某些雜質,最后再把材料(元素)從某種容易分解的化合物中分離出來。物理提純常用的是區域熔煉技術,即將半導體材料鑄成錠條,從錠條的一端開始形成一定長度的熔化區域。利用雜質在凝固過程中的分凝現象,當此熔區從一端至另一端重復移動多次
常見的半導體材料特點
常見的半導體材料有硅(si)、鍺(ge),化合物半導體,如砷化鎵(gaas)等;摻雜或制成其它化合物半導體材料,如硼(b)、磷(p)、錮(in)和銻(sb)等。其中硅是最常用的一種半導體材料。有以下共同特點:1.半導體的導電能力介于導體與絕緣體之間2.半導體受外界光和熱的刺激時,其導電能力將會有顯著
常用的半導體材料介紹
常用的半導體材料分為元素半導體和化合物半導體。元素半導體是由單一元素制成的半導體材料。主要有硅、鍺、硒等,以硅、鍺應用最廣。化合物半導體分為二元系、三元系、多元系和有機化合物半導體。二元系化合物半導體有Ⅲ-Ⅴ族(如砷化鎵、磷化鎵、磷化銦等)、Ⅱ-Ⅵ族(如硫化鎘、硒化鎘、碲化鋅、硫化鋅等)、 Ⅳ-Ⅵ族
半導體材料的提純方法
半導體材料的提純“主要是除去材料中的雜質。提純方法可分化學法和物理法。化學提純是把材料制成某種中間化合物以便系統地除去某些雜質,最后再把材料(元素)從某種容易分解的化合物中分離出來。物理提純常用的是區域熔煉技術,即將半導體材料鑄成錠條,從錠條的一端開始形成一定長度的熔化區域。利用雜質在凝固過程中的分
半導體材料的制備方法
不同的半導體器件對半導體材料有不同的形態要求,包括單晶的切片、磨片、拋光片、薄膜等。半導體材料的不同形態要求對應不同的加工工藝。常用的半導體材料制備工藝有提純、單晶的制備和薄膜外延生長。所有的半導體材料都需要對原料進行提純,要求的純度在6個“9”以上 ,最高達11個“9”以上。提純的方法分兩大類,一
七大芯片材料超全解析來襲,帶您進一步了解半導體材料
材料和設備是半導體產業的基石,一代技術依賴于一代工藝,一代工藝依賴一代材料和設備來實現。 半導體材料處于整個半導體產業鏈的上游環節,對半導體產業發展起著重要支撐作用,具有產業規模大、細分行業多、技術門檻高、研發投入大、研發周期長等特點。 半導體材料行業又因其具有極大的附加值和特有的產業生態支
國自然發布“集成電路關鍵材料前沿探索”項目指南
近日,國家自然科學基金委員會發布2023年度國家自然科學基金指南引導類原創探索計劃項目——“集成電路關鍵材料前沿探索”項目指南。 為貫徹落實黨中央、國務院關于加強基礎研究和提升原始創新能力的重要戰略部署,國家自然科學基金委員會(以下簡稱自然科學基金委)工程與材料科學部擬資助“集成電路關鍵材料前
集成電路關鍵技術迎來黃金發展期
研討會現場(主辦方供圖)8月23日,集成電路關鍵技術研討會在北京舉辦。與會專家圍繞著我國集成電路產業鏈條中的光刻機、軟硬件質量保障等集成電路關鍵技術問題進行了研討交流,以促進國內集成電路行業發展。“未來十年,集成電路關鍵技術迎來黃金發展期,機遇和挑戰并存。”此次研討會主持人、中國科學院自動化研究所高
開封高分子材料項目竣工
開封物源化工有限公司聚酯多元醇等高分子材料項目近日竣工,今年前8個月累計完成投資17050萬元。 據介紹,該項目位于蘭考縣產業集聚區,計劃總投資1.2億元,是開封市今年新開工建設的重點項目。進入8月份后,該項目建設進度明顯加快,當月完成投資超過5000萬元。目前該項目擁有2萬平方米生產廠房
高分子材料制樣方法
高分子材料制樣方法??3.1 薄膜法??有些厚度適中的透明薄膜可以直接用于紅外光譜測定,而厚度稍厚的只需輕輕拉伸使之變薄就可以使用了。熱塑性高分子材料在一定溫度下可以經熱壓制成薄膜使用。對于不能熱壓的高分子材料,可以將其溶解在適當的溶劑中制成溶液,然后將溶液澆在平滑的物體表面上,待溶劑完全揮發后揭下
PET高分子材料分析方法
PET材料主要測試它熔點 粘度 色值 水分含量就可以了..熔點DSC法測試,粘度烏式粘度計測試,色值熱差儀測試,水分灰分法。具體的細節你可以參考GB 17931-2003.希望對你有幫助