砷化鎵材料的材料特性
GaAs擁有一些較Si還要好的電子特性，使得GaAs可以用在高于250 GHz的場合。如果等效的GaAs和Si元件同時都操作在高頻時，GaAs會產生較少的噪音。也因為GaAs有較高的崩潰壓，所以GaAs比同樣的Si元件更適合操作在高功率的場合。因為這些特性，GaAs電路可以運用在移動電話、衛星通訊、微波點對點連線、雷達系統等地方。GaAs曾用來做成甘恩二極管、微波二極管和耿氏二極管以發射微波。GaAs的的另一個優點：它是直接能隙的材料，所以可以用來發光。而Si是間接能隙的材料，只能發射非常微弱的光。（但是，最近的技術已經可以用Si做成LED和運用在鐳射。）......閱讀全文
超純砷化鎵電子態遵守量子力學法則
據美國每日科學網站7月27日報道，美國科學家成功制造出了超純的砷化鎵，并讓其呈現出某種特殊的狀態，在這種狀態下，電子不再遵守單粒子的物理學法則而被它們之間的相互作用（由量子力學法則來解釋）所掌控，這種超純材料和狀態都有望用于高速量子計算機的研究中。 量子計算機使用電子的量子力
立方砷化硼有潛力成為比硅更優良的半導體材料
新華社北京7月26日電（記者喬本孝）科研人員日前發表在學術期刊《科學》的新研究顯示，一種名為立方砷化硼的材料在實驗室展現出比硅更好的導熱性和更高的雙極性遷移率，有潛力成為比硅更優良的半導體材料。硅是目前應用最廣泛的半導體材料，然而硅作為半導體有兩項不足。第一，硅不太善于傳導熱量，導致芯片溫度總是過熱
備受看好的氧化鎵材料是什么來頭？－（一）
日前，據日本媒體報道，日本經濟產業省（METI）計劃為致力于開發新一代低能耗半導體材料“氧化鎵”的私營企業和大學提供財政支持。報道指出，METI將為明年留出大約2030萬美元的資金去資助相關企業，預計未來5年的資助規模將超過8560萬美元。 ? 眾所周知，經歷了日美“廣場協定”的日本
備受看好的氧化鎵材料是什么來頭？－（二）
行業的領先廠商 ? 既然這個材料擁有這么領先的性能，自然在全球也有不少的公司投入其中。首先看日本方面，據半導體行業觀察了解，京都大學投資的Flosfia、NICT和田村制作所投資的Novel Crystal是最領先的Ga2O3供應商。 ? 相關資料顯示，Flosfia成立于20
氮化鎵半導體材料的反應方程式
GaN材料的生長是在高溫下，通過TMGa分解出的Ga與NH3的化學反應實現的，其可逆的反應方程式為：Ga+NH3=GaN+3/2H2生長GaN需要一定的生長溫度，且需要一定的NH3分壓。人們通常采用的方法有常規MOCVD(包括APMOCVD、LPMOCVD)、等離子體增強MOCVD（PE—MOCVD
氮化鎵半導體材料光電器件應用介紹
GaN材料系列是一種理想的短波長發光器件材料，GaN及其合金的帶隙覆蓋了從紅色到紫外的光譜范圍。自從1991年日本研制出同質結GaN藍色 LED之后，InGaN/AlGaN雙異質結超亮度藍色LED、InGaN單量子阱GaNLED相繼問世。目前，Zcd和6cd單量子阱GaN藍色和綠色 LED已進入大批
氮化鎵半導體材料新型電子器件應用
GaN材料系列具有低的熱產生率和高的擊穿電場，是研制高溫大功率電子器件和高頻微波器件的重要材料。目前，隨著 MBE技術在GaN材料應用中的進展和關鍵薄膜生長技術的突破，成功地生長出了GaN多種異質結構。用GaN材料制備出了金屬場效應晶體管（MESFET）、異質結場效應晶體管(HFET)、調制摻雜場效
氮化鎵的的光學特性
人們關注的GaN的特性，旨在它在藍光和紫光發射器件上的應用。Maruska和Tietjen首先精確地測量了GaN直接隙能量為3.39eV。幾個小組研究了GaN帶隙與溫度的依賴關系，Pankove等人估算了一個帶隙溫度系數的經驗公式：dE/dT=－6.0×10－4eV/k。 Monemar測定了基本的
氮化鎵的的化學特性
在室溫下，GaN不溶于水、酸和堿，而在熱的堿溶液中以非常緩慢的速度溶解。NaOH、H2SO4和H3PO4能較快地腐蝕質量差的GaN，可用于這些質量不高的GaN晶體的缺陷檢測。GaN在HCL或H2氣下，在高溫下呈現不穩定特性，而在N2氣下最為穩定。
氮化鎵的的電學特性
GaN的電學特性是影響器件的主要因素。未有意摻雜的GaN在各種情況下都呈n型,最好的樣品的電子濃度約為4×1016/cm3。一般情況下所制備的P型樣品，都是高補償的。很多研究小組都從事過這方面的研究工作，其中中村報道了GaN最高遷移率數據在室溫和液氮溫度下分別為μn=600cm2/v·s和μn= 1
氮化鎵的的化學特性
在室溫下，GaN不溶于水、酸和堿，而在熱的堿溶液中以非常緩慢的速度溶解。NaOH、H2SO4和H3PO4能較快地腐蝕質量差的GaN，可用于這些質量不高的GaN晶體的缺陷檢測。GaN在HCL或H2氣下，在高溫下呈現不穩定特性，而在N2氣下最為穩定。
氮化鎵的的結構特性
結構特性GaN纖鋅礦結構圖GaN的晶體結構主要有兩種，分別是纖鋅礦結構與閃鋅礦結構。
砷化鎵pn結注入式激光器的結構功能
中文名稱砷化鎵p-n結注入式激光器英文名稱gallium arsenide p-n junction injection laser定 義以砷化鎵材料構成p-n結，以晶體解理面構成諧振腔，當p-n結中注入大電流，便以平行于結面的方向射出激光的激光器。應用學科機械工程（一級學科），光學儀器（二級學科
砷化鎵pn結注入式激光器的功能介紹
中文名稱砷化鎵p-n結注入式激光器英文名稱gallium arsenide p-n junction injection laser定 義以砷化鎵材料構成p-n結，以晶體解理面構成諧振腔，當p-n結中注入大電流，便以平行于結面的方向射出激光的激光器。應用學科機械工程（一級學科），光學儀器（二級學科
科學家研發出砷化鎵晶片批量生產技術
新一期英國《自然》雜志報告說，美國研究人員研發出一種可批量生產砷化鎵晶片的技術，克服了成本上的瓶頸，從而使砷化鎵這種感光性能比硅更優良的材料有望大規模用于半導體和太陽能相關產業。 據介紹，砷化鎵是一種感光性能比當前廣泛使用的硅更優良的材料，理論上它可將接收到的陽光的40%轉
國電光伏砷化鎵電池通過德國Fraunhofer－ISE檢測機構認證
日前，國電光伏科技宣布，公司柔性薄膜砷化鎵電池順利通過德國Fraunhofer ISE檢測機構(世界三大權威檢測機構之一)認證。 經檢測，國電光伏柔性薄膜砷化鎵電池轉換效率達到34.5%(AM1.5G)，是目前世界上已報道的效率最高的柔性薄膜太陽能電池。 據了解，通過國電光伏自主研發的獨特工
寬帶隙半導體材料的特性
氮化鎵、碳化硅和氧化鋅等都是寬帶隙半導體材料，因為它的禁帶寬度都在3個電子伏以上，在室溫下不可能將價帶電子激發到導帶。器件的工作溫度可以很高，比如說碳化硅可以工作到600攝氏度；金剛石如果做成半導體，溫度可以更高，器件可用在石油鉆探頭上收集相關需要的信息。它們還在航空、航天等惡劣環境中有重要應用。廣
鉑電阻材料的特性和應用
鉑電阻，簡稱為：鉑熱電阻，它的阻值會隨著溫度的變化而改變。它有PT100和?PT1000等等系列產品，它適用于醫療、電機、工業、溫度計算、衛星、氣象、阻值計算等高精溫度設備，應用范圍非常之廣泛。
半導體材料的特性要求
半導體材料的特性參數對于材料應用甚為重要。因為不同的特性決定不同的用途。晶體管對材料特性的要求 ：根據晶體管的工作原理，要求材料有較大的非平衡載流子壽命和載流子遷移率。用載流子遷移率大的材料制成的晶體管可以工作于更高的頻率（有較好的頻率響應）。晶體缺陷會影響晶體管的特性甚至使其失效。晶體管的工作溫度
半導體材料的特性和參數
半導體材料的導電性對某些微量雜質極敏感。純度很高的半導體材料稱為本征半導體，常溫下其電阻率很高，是電的不良導體。在高純半導體材料中摻入適當雜質后，由于雜質原子提供導電載流子，使材料的電阻率大為降低。這種摻雜半導體常稱為雜質半導體。雜質半導體靠導帶電子導電的稱N型半導體，靠價帶空穴導電的稱P型半導體。
半導體材料的特性要求
半導體材料的特性參數對于材料應用甚為重要。因為不同的特性決定不同的用途。晶體管對材料特性的要求 ：根據晶體管的工作原理，要求材料有較大的非平衡載流子壽命和載流子遷移率。用載流子遷移率大的材料制成的晶體管可以工作于更高的頻率（有較好的頻率響應）。晶體缺陷會影響晶體管的特性甚至使其失效。晶體管的工作溫度
低維半導體材料的特性
實際上這里說的低維半導體材料就是納米材料，之所以不愿意使用這個詞，發展納米科學技術的重要目的之一，就是人們能在原子、分子或者納米的尺度水平上來控制和制造功能強大、性能優越的納米電子、光電子器件和電路，納米生物傳感器件等，以造福人類。可以預料，納米科學技術的發展和應用不僅將徹底改變人們的生產和生活方式
光介質材料的定義和特性
光介質材料是傳輸光線的材料。入射的光線經過折射、反射會改變光線的方向、位相和偏振態；還可經過吸收或散射改變光線的強度和光譜成分。傳統上常把光學材料限定為晶態（光學晶體）、非晶態（光學玻璃）、有機化合物（光學塑料）。
新材料擁有反直覺特性
在不遠的未來，或許能夠3D打印出所有東西。想一想標準的打印機，它能夠僅通過3種顏色的墨盒“合成”成千上萬的顏色。與此類似，未來的3D打印將能夠用技術材料墨盒合成數以千萬計的擁有不同特性的材料。 這一概念激發德國卡爾斯魯厄理工學院（KIT）和法國國家科學研究中心的一個研究團隊探索一種叫作有效靜態
銻化鎵的應用
銻化鎵（GalliumAntimonite,GaSb）是III-V族化合物半導體，屬于閃鋅礦、直接帶隙材料，其禁帶寬度為0.725eV（300K），晶格常數為0.60959nm。GaSbChemicalbook具有優異的物理化學性能，常被用做襯底材料，應用于8~14mm及大于14mm的紅外探測器和激
推動材料素化，促進材料可持續發展
長期以來，材料尤其是大宗結構材料的性能提升往往依賴于合金化，而合金化使得材料的成本不斷攀升，性能提升幅度趨緩，回收利用變得更加困難。伴隨著全球工業化進程，各類材料的大量制造和使用對地球資源的消耗不斷加劇，材料可持續發展越來越受到世界各國科學家和政策制定者的重視。發達國家近年來先后啟動了多項材料可
固定化酶載體材料
#海普分離純化-固定化酶載體材料 酶是一類生物催化劑，絕大多數酶的化學本質是蛋白質，與化學催化劑相比，酶具有專一性強、催化效率高、反應條件溫和、活性可控等優點。但是由于酶法不穩定性，極易受外部環境影響而失去催化活性。另外，大多數酶具有水溶性，導致其在催化反應后不易與底物和產物分離，不僅影響產物的純度
日本研發出可簡單去除水中砷的材料
日本物質材料研究機構(位于茨城縣茨城市)6日宣布，已研發出可簡單去除污水中有毒元素砷的材料。 長時間飲用含砷水會導致皮膚及神經受損，患癌的可能性也會增大。該機構埃及籍主任研究員謝里夫·艾爾莎夫蒂(音譯)充滿信心地稱，該材料可在發展中國家開發利用水資源時大大降低砷的威脅，有利于確保安全飲用水
納米線技術能將太陽能電池效率翻倍
挪威科技大學（NTNU）研究小組開發了一種使用半導體納米線材料制造超高效率太陽能電池的方法。如將其用于傳統的硅基太陽能電池，這一方法有望以低成本將當今硅太陽能電池的效率提高一倍。該研究論文發表在美國化學學會期刊《ACS光子學》上。 新技術主要開發者、NTNU博士研究生安詹·穆克吉表示，他們的新方
半導體所在砷化鎵/鍺中拓撲相研究方面獲重要發現
中國科學院半導體研究所常凱研究組提出利用表面極化電荷在傳統常見半導體材料GaAs/Ge中實現拓撲絕緣體相。通過第一性原理計算和多帶k.p理論成功地證明了GaAs/Ge極化電荷誘導的拓撲絕緣體相，這為拓撲絕緣體的器件應用又向前推進了一步。 拓撲絕緣體是目前凝聚態物理的前沿熱點問題之一。它具有