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利用真空火花放電在很小的體積內積聚起的能量可使體積內的物質驟然完全蒸發和電離，從而獲得具有表征性的離子流信息。 Dempsteri最早把這一現象應用到質譜儀器上實現了當時物理、化學家們用電子轟擊型電離源無法解決的鉑、鈀、金、銥電離的遺留問題完成了當時已知元素同位素的全部測量。這一具有歷史意義的成果對后來物理、化學、地質、核科學等學科的發展，起著基礎性的促進作用。下面介紹兩種典型的放電型離子源。1、高頻火花源高頻火花離子源（high frequency spark ion source）是廣泛使用的一種真空放電型離子源。由于其對所有的元素具有大致相同的電離效率，因此應用范圍較廣，可用來對多種形態的導體、半導體和絕緣體材料進行定量分析，是早期質譜儀測定高純材料中微量雜質的重要方法之一。圖6是高頻火花放電電離示意。被分析物質以適當的方式制成樣品電極，裝配時和參比電極相距約0.1mm的間隙。利用加載在兩個電極間的高頻高壓電場使......閱讀全文
利用真空火花放電在很小的體積內積聚起的能量可使體積內的物質驟然完全蒸發和電離，從而獲得具有表征性的離子流信息。?Dempsteri最早把這一現象應用到質譜儀器上實現了當時物理、化學家們用電子轟擊型電離源無法解決的鉑、鈀、金、銥電離的遺留問題完成了當時已知元素同位素的全部測量。這一具有歷史意義的成果對
電子轟擊離子源（electron impact ion source）是利用具有一定能量的電子束使氣態的樣品分子或原子電離的離子源（簡稱EI源）。具有結構簡單、電離效率高、通用性強、性能穩定、操作方便等特點，可用于氣體、揮發性化合物和金屬蒸氣等樣品的電離，是質譜儀器中廣泛采用的電離源之一。在質譜分析
與離子轟擊電離相似，原子轟擊電離也是利用轟擊濺射使樣品電離的，所不同的是用于轟擊的粒子不是帶電離子，而是高速的中性原子，因此原子轟擊電離源又稱為快原子轟擊源（fast atom bombardment source， FAB）。原子轟擊源是20世紀80年代發展起來的一種新技術。由于電離在室溫下進行和
利用不同種類的一次離子源產生的高能離子束轟擊固體樣品表面，使樣品被轟擊部位的分子和原子脫離表面并部分離子化—一產生二次離子，然后將這些二次離子引出、加速進入到不同類型的質譜儀中進行分析。這種利用高能一次離子轟擊使被分析樣品電離的方式統稱為離子轟擊電離。使用的一次離子源包括氧源、氬源、銫源、鎵源等。1
離子源是質譜儀器最主要的組成部件之一，其作用是使被分析的物質分子或原子電離成為離子，并將離子會聚成具有一定能量和一定幾何形狀的離子束。由于被分析物質的多樣性和分析要求的差異，物質電離的方法和原理也各不相同。在質譜分析中，常用的電離方法有電子轟擊、離子轟擊、原子轟擊、真空放電、表面電離、場致電離、化學
熱電離離子源是分析固體樣品的常用離子源之一。其基本工作原理是:把樣品涂覆在高熔點的金屬帶表面裝入離子源，在真空狀態下通過調節流過金屬帶的電流強度使樣品加熱蒸發，部分中性粒子在蒸發過程中電離形成離子。熱電離效率依賴于所用金屬帶的功函數、金屬帶的表面溫度和分析物質的第一電離電位。通常金屬帶的功函數越大、
1.基本原理電子轟擊離子源（electron impact ionization，EI）是一種通過高能電子轟擊樣品分子，使樣品分子電離的一種離子源。在高真空條件下，電流通過燈絲，燈絲發射電子，電子由電場加速獲得70eV的能量，并在電離盒內與樣品分子碰撞，使待測樣品分子發生電離。被電離的樣品分子在離子
離子源是質譜儀器最主要的組成部件之一，其作用是使被分析的物質分子或原子電離成為離子，并將離子會聚成具有一定能量和一定幾何形狀的離子束。由于被分析物質的多樣性和分析要求的差異，物質電離的方法和原理也各不相同。在質譜分析中，常用的電離方法有電子轟擊、離子轟擊、原子轟擊、真空放電、表面電離、場致電離、化學
1.基本原理實時直接分析離子源（direct analysis in real time，DART）的命名是以該技術的效果命名的，其基本原理是通過電暈激發He等氣體產生激發態的He＊分子，激發態的He＊撞擊樣品表面的待測分子，將其從樣品表面解吸出來并將能量傳遞給待測分子使其電離。離子源主要結構如圖1
利用高溫等離子體將分析樣品離子化的裝置稱為電感耦合等離子體離子源，也叫ICP離子源。等離子體是處于電離狀態的氣體。它是一種由自由電子、離子和中性原子或分子組成的且總體上呈電中性的氣體，其內部溫度可高達上萬攝氏度。電感耦合等離子體離子源就是利用等離子體中的高溫使進入該區域的樣品離子化電離。ICP離子源