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a.接觸式曝光（Contact Printing）：掩膜板直接與光刻膠層接觸。曝光出來的圖形與掩膜板上的圖形分辨率相當，設備簡單。接觸式，根據施加力量的方式不同又分為：軟接觸，硬接觸和真空接觸。1.軟接觸 就是把基片通過托盤吸附住（類似于勻膠機的基片放置方式），掩膜蓋在基片上面；2.硬接觸 是將基片通過一個氣壓（氮氣），往上頂，使之與掩膜接觸；3.真空接觸 是在掩膜和基片中間抽氣，使之更加好的貼合（想一想把被子抽真空放置的方式）軟<硬<真空 接觸的越緊密，分辨率越高，當然接觸的越緊密，掩膜和材料的損傷就越大。缺點：光刻膠污染掩膜板；掩膜板的磨損，容易損壞,壽命很低（只能使用5～25次）；容易累積缺陷；上個世紀七十年代的工業水準，已經逐漸被接近式曝光方式所淘汰了，國產光刻機均為接觸式曝光，國產光刻機的開發機構無法提供工藝要求更高的非接觸式曝光的產品化。b.接近式曝光（Proximity Printing）:掩膜板與光刻......閱讀全文
光刻機（Mask Aligner）是制造微機電、光電、二極體大規模集成電路的關鍵設備。其分為兩種，一種是模板與圖樣大小一致的contact aligner，曝光時模板緊貼晶圓；另一種是利用類似投影機原理的stepper，獲得比模板更小的曝光圖樣。高端光刻機被稱為“現代光學工業之花”，制造難度很大
光刻機一般根據操作的簡便性分為三種，手動、半自動、全自動 A 手動：指的是對準的調節方式，是通過手調旋鈕改變它的X軸，Y軸和thita角度來完成對準，對準精度可想而知不高了； B 半自動：指的是對準可以通過電動軸根據CCD的進行定位調諧； C 自動： 指的是 從基板的上載下載，曝光時長和循
a.接觸式曝光（Contact Printing）：掩膜板直接與光刻膠層接觸。曝光出來的圖形與掩膜板上的圖形分辨率相當，設備簡單。接觸式，根據施加力量的方式不同又分為：軟接觸，硬接觸和真空接觸。 1.軟接觸 就是把基片通過托盤吸附住（類似于勻膠機的基片放置方式），掩膜蓋在基片上面； 2.硬接
光刻機（Mask Aligner）是制造微機電、光電、二極體大規模集成電路的關鍵設備。其分為兩種，一種是模板與圖樣大小一致的contact aligner，曝光時模板緊貼晶圓；另一種是利用類似投影機原理的stepper，獲得比模板更小的曝光圖樣。高端光刻機被稱為“現代光學工業之花”，制造難
投影式光刻機一般采用步進-掃描式曝光方法。光源并不是一次把整個掩模上的圖形投影在晶圓上，曝光系統通過一個狹縫式曝光帶（slit）照射在掩模上，載有掩模的工件臺在狹縫下沿著一個方向移動，等價于曝光系統對掩模做了掃描，與掩模的掃描同步，晶圓沿相反的方向以1/4的速度移動。現代光刻機中，掩模掃描的速度
a.接觸式曝光（Contact Printing）：掩膜板直接與光刻膠層接觸。曝光出來的圖形與掩膜板上的圖形分辨率相當，設備簡單。接觸式，根據施加力量的方式不同又分為：軟接觸，硬接觸和真空接觸。1.軟接觸 就是把基片通過托盤吸附住（類似于勻膠機的基片放置方式），掩膜蓋在基片上面；2.硬接觸 是將基片
光刻機的品牌眾多，根據采用不同技術路線的可以歸納成如下幾類： 高端的投影式光刻機可分為步進投影和掃描投影光刻機兩種，分辨率通常在十幾納米至幾微米之間，高端光刻機號稱世界上最精密的儀器，世界上已有7000萬美金的光刻機。高端光刻機堪稱現代光學工業之花，其制造難度之大，全世界只有少數幾家公司能夠制
光刻機（Mask Aligner）是制造微機電、光電、二極體大規模集成電路的關鍵設備。其分為兩種，一種是模板與圖樣大小一致的contact aligner，曝光時模板緊貼晶圓；另一種是利用類似投影機原理的stepper，獲得比模板更小的曝光圖樣。高端光刻機被稱為“現代光學工業之花”，制造難度很大
測量臺、曝光臺：承載硅片的工作臺，也就是本次所說的雙工作臺。 光束矯正器：矯正光束入射方向，讓激光束盡量平行。 能量控制器：控制最終照射到硅片上的能量，曝光不足或過足都會嚴重影響成像質量。 光束形狀設置：設置光束為圓型、環型等不同形狀，不同的光束狀態有不同的光學特性。 遮光器：在不需要曝
a.接觸式曝光（Contact Printing）：掩膜板直接與光刻膠層接觸。曝光出來的圖形與掩膜板上的圖形分辨率相當，設備簡單。接觸式，根據施加力量的方式不同又分為：軟接觸，硬接觸和真空接觸。 1.軟接觸 就是把基片通過托盤吸附住（類似于勻膠機的基片放置方式），掩膜蓋在基片上面； 2.硬接