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  • 發布時間:2018-07-27 11:06 原文鏈接: 俄歇電子能譜的樣品表面的處理和制備

    (1) 離子束濺射

    因樣品在空氣中極易吸附氣體分子(包括元素O、C等),當需要分析氧、碳元素或清潔被污染的固體表面時,應先用離子束濺射樣品,去除污染物。

    (2) 樣品制備

    含有揮發性物質和表面污染的樣品:對樣品加熱或用溶劑清洗。清洗溶劑:正己烷、丙酮、乙醇等。絕對禁止帶有強磁性的樣品進入分析室,因磁性會導致分析器頭及樣品架磁化。樣品有磁性時,俄歇電子在磁場作用下偏離接受角,不能到達分析器,得不到AES譜。帶有微弱磁性的樣品:通過退磁的方法去掉微弱磁性。

    (3) 樣品荷電問題

    通常情況下只能分析固體導電樣品;經過特殊處理,絕緣體固體和粉末樣品也可以分析。

    粉末樣品:一種是用導電膠帶直接把粉體固定在樣品臺上,另一種是把粉體樣品壓成薄片,然后再固定在樣品臺上

    導電性能不好的樣品如半導體材料、絕緣體薄膜,在電子束的作用下,其表面會產生一定的負電荷積累,此即俄歇電子能譜的荷電效應。樣品表面荷電相當于給表面自由的俄歇電子增加額外電場,使俄歇動能變大。荷電嚴重時不能獲得俄歇譜。

    100nm厚度以下的絕緣體薄膜,若基體材料導電,其荷電效應基本可自身消除。

    對于絕緣體樣品,可通過在分析點周圍鍍金的方法解決荷電效應。也有用帶小窗口的Al、Sn、Cu箔等包覆樣品的方法。


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