高分子薄膜濕敏電容由芬蘭vaisala公司最先開發的，英語上稱為“Humicap”.其結構如圖所示，傳感部分完全平鋪在一片玻璃基底上，首先在基底上真空噴涂一層金膜作為電容器的一個基本電極，然后在基片電極上均勻噴涂0.5～1um厚的吸濕材料醋酸纖維素.最后在吸濕材料上真空噴鍍上表面電極，表面電極的厚度為0.02 um，保證水汽分子能通過表面電極滲透進人吸濕層，由于表面電極的厚度太薄，因而無法進行任何引線的焊接，基本電極實質上是由兩塊相互分離的金屬膜組成，并分別引出焊接線，它們分別對表面電極形成兩個電容C1和C2，因而從基底引線測量其電容量，實際上為C1和C2的串聯值，元件在相對濕度為零時，其總電容量約為40 PF,相對濕度達到100%時其電容量可增加30%-35%。
電容濕度表的傳感器是同樣是以有機高分子膜作介質的一種電容器。濕敏電容器的上電極是一層多孔金膜，能透過水汽；下電極為一對刀狀或梳狀電極，引線由下電極引出。基板是玻璃。整個感應器是由兩個小電容器串聯組成。傳感器置于大氣中，當大氣中水汽透過上電極進人介電層，介電層吸收水汽后，介電系數發生變化，導致電容器電容量發生變化。電容量的變化正比于相對濕度。濕敏電容傳感器應安裝在百葉箱內，傳感器的中心點離地面1.5 m。在某些自動氣象站中，鉑電阻溫度傳感器與濕敏電容濕度傳感器制作成為一體。
影響濕敏電容滯后系數最主要的因素是電容表面金屬鍍層的工藝特性，最初的工藝是在真空噴鍍設備中鍍成連續性的薄金屬膜，這種工藝所制作的元件具有相當大的滯后系數.后來采用了真空鍍鉻，并使鍍層產生適當裂紋的工藝，現今所使用的工藝是噴鍍成網孔狀的金屬膜工藝，一般來說，滯后系數的大小與水汽滲透路徑成正比，滲透路徑大致等于不能滲透水汽的金屬膜聚合區的半寬度L加上可滲透水汽的金屬膜裂紋或空隙附近金屬膜的厚度l，因而多孔性金屬膜的L和l值均能達到微米的數量級，實踐還證明，多孔性金屬膜的附著強度以及防腐蝕能力均優于前兩種工藝技術。