圖6．Rap和Rp的電阻分布間距在計入寄生電阻時變小
為了感測MTJ的電阻，必須在讀取期間將其兩端的電壓通過晶體管N1和N2鉗位到一個低值，以避免讀取干擾，并對其進行微調以消除感測放大器和參考電流偏移。參考電阻是1T4R配置R？（R p ＋ R ap）／ 2 ＋ R1T，如圖7所示。
圖7．具有微調能力的感測放大器顯示了晶體管N1和N2上的讀取鉗位電壓，以防止讀取干擾。參考R（R p ＋ Rap）／ 2 ＋ R1T
如圖8，讀取時序圖和shmoo圖所示，這種配置在125°C時能夠實現小于10ns的讀取速度。
圖8． 125°C時的讀取時序圖和讀取shmoo圖。