原子發射光譜（ICP／AES）理論知識（3）——自吸自蝕

　　原子發射光譜（ICP/AES）理論知識（3）——自吸自蝕

　　譜線的自吸和自蝕

　　等離子體：以氣態形式存在的包含分子、離子、電子等粒子的整體電中性集合體。等離子體內溫度和原子濃度的分布不均勻，中間的溫度、激發態原子濃度高，邊緣反之。宏觀上是中性的電離的氣體，稱為等離子體。

　　自吸:由弧焰中心發射出來的輻射光，被外圍的基態原子所吸收，從而降低了譜線的強度。此現象叫自吸。

　　 I = I0e-ad

　　 I0為弧焰中心發射的譜線強度，a為吸收系數，d為弧層厚度。

　　自蝕：元素濃度低時，不出現自吸。隨濃度增加，自吸嚴重時，中心部分的譜線 將被吸收很多，從而使原來的一條譜線分裂成兩條譜線，這個現象叫自蝕 。

　　在譜線上，常用r表示自吸，R表示自蝕。在共振線上，自吸嚴重時譜線變寬， 稱為共振變寬

　　對于自吸和自蝕可用下圖表示：

　　發射光譜分析的特點：

　　1．相當高的靈敏度。

　　 2．有較好的選擇性。

　　3．準確度較高。

　　4．能同時測定多種元素，分析速度快。

　　5．用樣量少。